Wyszukiwarka
Opis
Ultra-thin layers of Al2O3 were deposited by atomic layer deposition (ALD) (Beneq TFS 200 ALD system). This method provides precise thickness control down to a single atomic layer. The precursors used were trimethylaluminum (Sigma-Aldrich) and purified water. The deposition of the atomic layer was carried out at 200 °C. Samples with a thickness of 2 and 8 nm of alumina, deposited on silicon (111) substrates, were selected for the tests. A Philips X'Pert diffractometer system with Cu filtered Kα radiation in the range 10° – 80° of 2θ was used for XRD measurements. No crystalline phase was bserved in prepared samples.
Plik z danymi badawczymi
Al2O3.zip
67.4 kB,
S3 ETag
e36c2c96b0d08053b3892cb97087a3d6-1,
pobrań: 4
Hash pliku liczony jest ze wzoru
Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MBPrzykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
Informacje szczegółowe o pliku
- Licencja:
-
otwiera się w nowej karcie
CC BYUznanie autorstwa - Dane surowe:
- Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.
- Oprogramowanie:
- origin
Informacje szczegółowe
- Rok publikacji:
- 2021
- Data zatwierdzenia:
- 2021-07-14
- Data wytworzenia:
- 2019
- Język danych badawczych:
- angielski
- Dyscypliny:
-
- inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
- DOI:
- Identyfikator DOI 10.34808/gb2e-eh30 otwiera się w nowej karcie
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
Słowa kluczowe
Cytuj jako
Autorzy
wyświetlono 35 razy