A simple model of the trap-assisted recombination with the excitonic Auger mechanism - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

A simple model of the trap-assisted recombination with the excitonic Auger mechanism

Abstrakt

We present a simple model of the trap-assisted recombination combined with the excitonic Auger mechanism. It has been shown that only six independent transitions of electrons and holes should be taken into account to describe a combination of the Shockley–Read–Hall (SRH) recombination with this excitonic process. This is in opposition to a well-known model of the SRH mechanism with the free carriers Auger effect via deep states, where eight separated transitions take place. The derived equation for the effective recombination rate can be useful for modeling the excitonic processes in semiconductors, especially in photovoltaic and optoelectronic devices.

Cytowania

  • 2

    CrossRef

  • 2

    Web of Science

  • 2

    Scopus

Cytuj jako

Pełna treść

pobierz publikację
pobrano 20 razy
Wersja publikacji
Accepted albo Published Version
Licencja
Copyright (2020 Springer Nature Switzerland AG)

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach
Opublikowano w:
European Physical Journal Plus nr 135, strony 1 - 7,
ISSN: 2190-5444
Język:
angielski
Rok wydania:
2020
Opis bibliograficzny:
Szmytkowski J.: A simple model of the trap-assisted recombination with the excitonic Auger mechanism// European Physical Journal Plus -Vol. 135, (2020), s.1-7
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1140/epjp/s13360-019-00058-3
Bibliografia: test
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 83 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi