Detection of high intensity THz radiation by InP double heterojunction bipolar transistors - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Detection of high intensity THz radiation by InP double heterojunction bipolar transistors

Abstrakt

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Autor (1)

  • Zdjęcie użytkownika  Peter Olbrich

    Peter Olbrich

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Rok wydania:
2017
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/irmmw-thz.2017.8067039
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 1 razy

Meta Tagi