Wyszukiwarka
Abstrakt
To investigate how replacement of H atom with methyl group (CH3) – in tetrahedral compounds of carbon, silicon and germanium – affects electron scattering process, total cross sections (TCS) for electron scattering from C(CH3)4, Si(CH3)4 and Ge(CH3)4 molecules have been compared with data for CH4, SiH4 and GeH4 molecules. All examined data have been obtained with the same experimental setup. The shape of all discussed TCS energy dependences is very similar and is characterized by a dominant maximum peaked below 10 eV. For methylated compounds a gentle structure is also visible on high energy slope of main enhancement, between 10 – 20 eV. A simple formula for TCS evaluation for partially methylated carbon, silicon and germanium compounds is also proposed.
Cytowania
-
1
CrossRef
-
0
Web of Science
-
1
Scopus
Autorzy (4)
Cytuj jako
Pełna treść
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach
- Opublikowano w:
-
Journal of Physics : Conference Series
nr 1412,
ISSN: 1742-6588 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2020
- Opis bibliograficzny:
- Stefanowska-Tur S., Szmytkowski C., Ptasińska-Denga E., Możejko P.: Role of methylation in electron scattering on X(CH3)4 (X= C, Si, Ge) molecules (2)// Journal of Physics : Conference Series -Vol. 1412, (2020), s.052008-
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1088/1742-6596/1412/5/052008
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 127 razy