Wyniki wyszukiwania dla: przyrzady polprzewodnikowe z weglika krzemu

• Pomiary i analiza wielkości mikroziaren ściernych.

  Publikacja

  • A. Barylski

  - Mechanik - Rok 2019

  Omówiono skomputeryzowana analizę wielkości i kształtu mikroziaren ściernych. W badaniach mikroziaren węglika boru, czarnego i zielonego weglika krzemu oraz elektrokorundu zwykłego i szlachetnego stosowano mikroskopię optyczną oraz oprogramowanie MultiScan.

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia

  Publikacja

  • M. Adamowicz
  • J. Pietryka
  • S. Giziewski
  • M. Rutkowski
  • Z. Krzemiński

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2012

  Zastosowanie technologii węglika krzemu (SiC) w falownikach napięcia pozwala na zwiększenie częstotliwości przełączeń oraz temperatury pracy przyrządów półprzewodnikowych. W celu zapewnienia minimalizacji strat oraz określonych właściwości dynamicznych tranzystorów z węglika krzemu wymagane jest stosowanie zaawansowanych układów sterowania bramkowego. W referacie przedstawiono analizę teoretyczną, wyniki badań symulacyjnych oraz...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym