Bazując na półempirycznym modelu wiązań kowalencyjnych w krzemie wyznaczono energie międzypowierzchni GaAs-Si. Obliczona energia międzypowierzchni GaAs-Si zależna jest od orientacji podłoża Si. Minimalna energia międzypowierzchniowa wyznacza odpowiednią konfigurację atomów w pobliżu powierzchni, która określa optymalne warunki heteroepitaksji GaAs na podłożach Si.

Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.

Praca przedstawia aktualny stan wiedzy na temat wpływu temperatury na parametry pracy ogniw i modułów fotowoltaicznych z amorficznego krzemu i GaAs. Przedstawiono ogólna analizę rezultatów zastosowania modułów fotowoltaicznych w budownictwie ze szczególnym uwzględnieniem systemów hybrydowych, przekształcających energie słoneczną w prąd elektryczny i ciepło.

The European Asphalt Technology Association (EATA) is an organisation of leading European engineers and scientists involved in the asphalt material research. Every two years, the EATA celebrates its international pavement conference, with the aim of disseminating the key advances in scientific knowledge related to asphalt materials and technologies, and to encourage the transfer and application of this knowledge worldwide. Since...

Impedance spectroscopy measurements in various gas atmospheres were carried out in order to explain the doubts about the type of carriers and the mechanism of electrical conductivity in Bi-Si-O and Pb-Si-O glasses. In bismuth silicate glass, a typical ionic conductivity with oxygen ions as charge carriers was observed. The level of electrical conductivity of the glass at 400 °C was 5 × 10−8 S·cm−1 , with the activation energy of...