Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy - Publication - Bridge of Knowledge

Search

Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy

Abstract

W artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.

Citations

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:
Conference activity
Type:
publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Title of issue:
XVI Krajowa Konferencja Elektroniki - Materiały Konferencyjne strony 110 - 115
Language:
Polish
Publication year:
2017
Bibliographic description:
Trofimowicz D., Kordalski W., Stefański T.: Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy// XVI Krajowa Konferencja Elektroniki - Materiały Konferencyjne/ Koszalin: , 2017, s.110-115
DOI:
Digital Object Identifier (open in new tab) 10.15199/13.2017.9.2
Verified by:
Gdańsk University of Technology

seen 95 times

Recommended for you

Meta Tags