Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy

Abstrakt

W artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Aktywność konferencyjna
Typ:
publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Tytuł wydania:
XVI Krajowa Konferencja Elektroniki - Materiały Konferencyjne strony 110 - 115
Język:
polski
Rok wydania:
2017
Opis bibliograficzny:
Trofimowicz D., Kordalski W., Stefański T.: Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy// XVI Krajowa Konferencja Elektroniki - Materiały Konferencyjne/ Koszalin: , 2017, s.110-115
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/13.2017.9.2
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 23 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi