Electrical responses of Graphene-Silicon Schottky diodes toward nitrogen dioxide and tetrahydrofuran under irradiation

Opis

Graphene-Silicon Schottky junctions were utilized as gas sensors toward inorganic (nitrogen dioxide) and organic (tetrahydrofuran) gas qualitative and quantitative detection. The electrical responses of the sensors were collected in the form of current-voltage characteristics and measurements of current in time domain for a selected voltage bias. The data was recorded for the sensors operating in the dark and under blue (wavelength of 470 nm) or UV (wavelength 275 nm) light. This data set consists of raw and modified data of current responses of the Schottky diodes for selected voltage range, showing that both gases affect the diodes characteristics in a different way (nitrogen dioxide affects only the forward region of the I-V curve, and tetrahydrofuran affects also the reverse region of the characteristic ascribed to changes in the Schottky barrier height).

Plik z danymi badawczymi

G-Si_data.zip

2.4 MB, S3 ETag 223e930a3585fea9e7cfb49d376e3313-1, pobrań: 49

Hash pliku liczony jest ze wzoru
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MB

Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5

pobierz

Informacje szczegółowe o pliku

Licencja:: otwiera się w nowej karcie

CC BY

Uznanie autorstwa
Oprogramowanie:: Origin/Origin Viewer

Informacje szczegółowe

Rok publikacji:

2024

Data zatwierdzenia:

2024-03-05

Język danych badawczych:

angielski

Dyscypliny:

automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)

DOI:

10.34808/2q4d-pf14

Finansowanie:

System detekcji gazu za pomocą czujników wykonanych z materiałów o strukturze dwuwymiarowej

Weryfikacja:

Politechnika Gdańska

Słowa kluczowe

Powiązane zasoby

publikacja Enhanced gas sensing by graphene-silicon Schottky diodes under UV irradiation

Cytuj jako

Autorzy

wyświetlono 83 razy

Wyszukiwarka