Wyszukiwarka
AlGaN/GaN field effect transistor with two lateral Schottky barrier gates towards resonant detection in sub-mm range
Abstrakt
Cytowania
-
1 4
CrossRef
-
0
Web of Science
-
1 9
Scopus
Autor (1)
-
G Cywiński
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- Publikacja w czasopiśmie
- Opublikowano w:
-
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
nr 34,
wydanie 2,
ISSN: 0268-1242 - ISSN:
- 0268-1242
- Rok wydania:
- 2019
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1088/1361-6641/aaf4a7
- Weryfikacja:
- Brak weryfikacji
wyświetlono 1 razy