AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

AP-MOVPE Technology and Characterization of InGaAsN p-i-n Subcell for InGaAsN/GaAs Tandem Solar Cell

Abstrakt

Cytowania

  • 6

    CrossRef

  • 8

    Web of Science

  • 9

    Scopus

Autorzy (12)

  • Zdjęcie użytkownika  Wojciech Dawidowski

    Wojciech Dawidowski

  • Zdjęcie użytkownika  Beata Šciana

    Beata Šciana

  • Zdjęcie użytkownika  Iwona Zborowska-Lindert

    Iwona Zborowska-Lindert

  • Zdjęcie użytkownika  Miroslav Mikolášek

    Miroslav Mikolášek

  • Zdjęcie użytkownika  Magdalena Latkowska

    Magdalena Latkowska

  • Zdjęcie użytkownika  Damian Radziewicz

    Damian Radziewicz

  • Zdjęcie użytkownika  Damian Pucicki

    Damian Pucicki

  • Zdjęcie użytkownika  Katarzyna Bielak

    Katarzyna Bielak

  • Zdjęcie użytkownika  Mikołaj Badura

    Mikołaj Badura

  • Zdjęcie użytkownika  Jaroslav Kováč

    Jaroslav Kováč

  • Zdjęcie użytkownika  Marek Tłaczała

    Marek Tłaczała

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
Publikacja w czasopiśmie
Opublikowano w:
International Journal of Electronics and Telecommunications nr 60, wydanie 2, strony 151 - 156,
ISSN: 2300-1933
ISSN:
2300-1933
Rok wydania:
2014
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.2478/eletel-2014-0018
Weryfikacja:
Brak weryfikacji

wyświetlono 1 razy

Meta Tagi