Wyszukiwarka
Double-Quantum-Well AlGaN/GaN Field Effect Transistors with Top and Back Gates: Electrical and Noise Characteristics
Abstrakt
Cytowania
-
3
CrossRef
-
0
Web of Science
-
4
Scopus
Autor (1)
-
Lukasz Janicki
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- Publikacja w czasopiśmie
- Opublikowano w:
-
Micromachines
nr 12,
wydanie 6,
ISSN: 2072-666X - ISSN:
- 2072-666X
- Rok wydania:
- 2021
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.3390/mi12060721
- Weryfikacja:
- Brak weryfikacji
wyświetlono 0 razy