InGaN trapered laser diodes

Szymon Stanczyk; Anna Kafar

InGaN trapered laser diodes

Abstrakt

W pracy zaprezentowano rezultaty badan nad diodami laserowymi InGaN ze zwężającym się kanałem. Kąty kanałów zmieniane były w zakresie 2 -5 stopni, jak również zmieniana była długość kanału. Wykazano, że w przypadku optymalnych parametrów, parametr M2 (M kwadrat) opisujący odtępstwa wiązki od krzywej Gaussa, wynosił 2.1 przy mocy optycznej 200 mW.

Autorzy (2)

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

pełna treść artykułu zobacz w serwisie zewnętrznym otwiera się w nowej karcie

Słowa kluczowe

LASER DIODE

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:: ELECTRONICS LETTERS nr 48, strony 1232 - 1234,
ISSN: 0013-5194
Język:: angielski
Rok wydania:: 2012
Opis bibliograficzny:: Stanczyk S., Kafar A.: InGaN trapered laser diodes// ELECTRONICS LETTERS. -Vol. 48, nr. iss. 19 (2012), s.1232-1234
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska