Wyszukiwarka
On the tendency of temperature and electric field dependences of interface recombination in P3HT:PCBM organic bulk heterojunction solar cells
Abstrakt
We demonstrate theoretical explanation of the temperature and electric field dependences of recombination coefficients in an organic P3HT:PCBM bulk heterojunction solar cell. Based onthe model of interface recombination, two analytical formulas describing the relative ratio of the interface (γI ) to the Langevin (γL) recombination coefficients have been derived. Our analysis indicates that the sign of parameters φT and φF determines the increasing or decreasing of γI /γL with temperature and electric field. We have obtained satisfactory agreement between theoretical calculations and experimental data. Additionally, the presented model is capable of explaining, for the first time, the fact that the ratio of the experimental recombination coefficient with sum of charge carrier mobilities increases with electric field.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Opublikowano w:
-
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
nr 26,
ISSN: 0268-1242 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2011
- Opis bibliograficzny:
- Szmytkowski J.: On the tendency of temperature and electric field dependences of interface recombination in P3HT:PCBM organic bulk heterojunction solar cells// SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. -Vol. 26, nr. Iss. 10 (2011),
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 96 razy