Filtry
wszystkich: 3
Wyniki wyszukiwania dla: REZYSTANCJA POŁĄCZEŃ
-
Wyznaczanie wartości wskaźników diagnostycznych w celu monitorowania zużycia tranzystorów IGBT dużej mocy
PublikacjaPrzedstawiono nową metodę monitorowania zużycia tranzystorów bipolarnych z izolowaną bramką (IGBT) bezpośrednio w układzie napędowym. Proponowana metoda przeznaczona jest do śledzenia dwóch istotnych objawów starzenia modułów IGBT: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego oraz uszkodzeń połączeń drutowych wewnątrz modułu. Monitorowana jest rezystancja cieplna między półprzewodnikiem...
-
Evaluation of selected diagnostic variables for the purpose of assessing the ageing effects in high-power IGBTs
PublikacjaPrzedstawiono metodę wyznaczania dwóch wskaźników diagnostycznych, które mogą być używane do oceny zużycia modułów IGBT dużej mocy. Proponowane podejście jest próbą zaadaptowania znanej z literatury metody laboratoryjnej do pracy bezpośrednio w układzie napędowym pojazdu trakcyjnego. Rozważane wskaźniki diagnostyczne to rezystancja cieplna między półprzewodnikiem a podstawą modułu oraz napięcie nasycenia kolektor-emiter IGBT....
-
Ekspertyza stanu technicznego instalacji odgromowej przystanku Pomorskiej Kolei Metropolitalnej Gdańsk Rębiechowo
PublikacjaW ekspertyzie przedstawiono wyniki obliczeń i pomiarów rezystancji połączeń elementów urządzenia piorunochronnego.