Wyszukiwarka
Wyniki wyszukiwania dla: polprzewodniki
-
Robert Bogdanowicz dr hab. inż.
OsobyRobert Bogdanowicz received his Ph.D. degree with honours in Electronics from the Gdansk University of Technology. He worked as a post-doc researcher in Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Institut für Physik. He has initiated optical emission imaging of muti-magnetron pulsed plasma and contributed to the development of antibacterial implant coatings deposited by high-power impulse magnetron sputtering. He moved back to...
-
Synthesis and properties of the double perovskites La2NiVO6, La2CoVO6 i La2CoTiO6
PublikacjaW publikacji przedstawiono sposób syntezy, analizę dyfrakcji rentgenowskiej (xrd) i badania podatności magnetycznej tzw. podwójnych związków perowskitowych La2NiVO6, La2CoVO6 i La2CoTiO6. Badane związki są półprzewodnikami ze stosunkowo wąską szerokością przerwy energetycznej dla La2NiVO6, La2CoVO6 i nieznacznie powyżej 1 eV powyżej La2CoTiO6.
-
The influence of the thickness, recombination and space charge on the loss of photocurrent in organic semiconductors: an analytical model
PublikacjaWe propose an analytical model of the photocurrent efficiency dependence on the light intensity in organic semiconductors. The influence of the thickness of sample, space charge effects and recombination of charge on the loss of photocurrent has been considered. We demonstrate that the presented model is the enhancement of an analytical model reported recently by Rappaport et al (2005 J. Appl. Phys. 98 033714). The method to identify...
-
Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach
PublikacjaPraca przedstawia nowe podejście da analizy zjawisk losowych w półprzewodnikach. Uwzględnia kilka mechanizmów zjawisk fluktuacji ruchliwości w półprzewodnikach, prowadzących do powstawamai składowej szumów typu 1/f, dominujących w zakresie małych czetotliwości. Przedstawia analizę sposobu wyznaczenia stałej Hooge'a określającej intensywność szumów typu 1/f.The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations...
-
Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures
PublikacjaPrzeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.
-
Optimal strategy for a single-qubit gate and the trade-off between opposite types of decoherence.
PublikacjaZostał zbadany proces przesyłania kwantowej informacji w dwóch różnych otoczeniach (markowskim i niemarkowskim).
-
Laboratorium Syntezy Innowacyjnych Materiałów i Elementów
LaboratoriaZespół specjalistycznych urządzeń pozwala dokonywać syntezy diamentu mikro- i nanokrystalicznego oraz diamentu domieszkowanego borem i azotem do zastosowań w optoelektronice oraz nanosensoryce. Domieszkowany borem nanodiament (BDD) jest obecnie najwydajniejszym materiałem półprzewodnikowym do zastosowania w wytwarzaniu biosensorów elektrochemicznych. Laboratorium może otrzymywać ciągłe cienkie polikrystaliczne, domieszkowane elektrody...