CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY - Czasopismo - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY

ISSN:

0232-1300

eISSN:

1521-4079

Dyscypliny:

  • automatyka, elektronika, elektrotechnika i technologie kosmiczne (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria biomedyczna (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • inżynieria środowiska, górnictwo i energetyka (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
  • biologia medyczna (Dziedzina nauk medycznych i nauk o zdrowiu)
  • nauki farmaceutyczne (Dziedzina nauk medycznych i nauk o zdrowiu)
  • rolnictwo i ogrodnictwo (Dziedzina nauk rolniczych)
  • biotechnologia (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)
  • nauki chemiczne (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)
  • nauki fizyczne (Dziedzina nauk ścisłych i przyrodniczych)

Punkty Ministerialne: Pomoc

Punkty Ministerialne - aktualny rok
Rok Punkty Lista
Rok 2025 40 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
Punkty Ministerialne - lata ubiegłe
Rok Punkty Lista
2025 40 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
2024 40 Ministerialna lista czasopism punktowanych 2024
2023 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych 2023
2022 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2021 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2020 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2019 40 Lista ministerialna czasopism punktowanych (2019-2022)
2018 20 A
2017 20 A
2016 20 A
2015 20 A
2014 20 A
2013 20 A
2012 20 A
2011 20 A
2010 20 A

Model czasopisma:

Hybrydowe

Punkty CiteScore:

Punkty CiteScore - aktualny rok
Rok Punkty
Rok 2023 2.5
Punkty CiteScore - lata ubiegłe
Rok Punkty
2023 2.5
2022 2.3
2021 2.4
2020 2.2
2019 2
2018 2
2017 2
2016 1.7
2015 1.8
2014 2.4
2013 2.3
2012 2
2011 1.7

Impact Factor:

Zaloguj się aby zobaczyć Współczynnik Impact Factor dla tego czasopisma

Filtry

wszystkich: 6

  • Kategoria
  • Rok
  • Opcje

wyczyść Filtry wybranego katalogu niedostępne

Katalog Czasopism

Rok 2023
Rok 2011
Rok 2010
Rok 2002
  • Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures
    Publikacja
    • A. Zdyb
    • J. M. Olchowik
    • D. Szymczuk
    • J. Mucha
    • K. Zabielski
    • M. Mucha
    • W. Sadowski

    - CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY - Rok 2002

    Przeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.

Rok 2001

wyświetlono 639 razy