Wyniki wyszukiwania dla: 2D SEMICONDUCTORS

• Surface Properties and Photocatalytic Activity of KTaO3, CdS, MoS2 Semiconductors and Their Binary and Ternary Semiconductor Composites

  Publikacja

  • B. Bajorowicz
  • A. Cybula
  • M. Winiarski
  • T. Klimczuk
  • A. Zaleska

  - MOLECULES - Rok 2014

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Surface properties and photocatalytic activity of KTaO3, CdS, MoS2 semiconductors and their binary and ternary semiconductor composites

  Publikacja

  • B. Bajorowicz
  • A. Malankowska
  • M. J. Winiarski
  • T. Klimczuk
  • A. Zaleska-Medynska

  - MOLECULES - Rok 2014

  Single semiconductors such as KTaO3, CdS MoS2 or their precursor solutions were combined to form novel binary and ternary semiconductor nanocomposites by the calcination or by the hydro/solvothermal mixed solutions methods, respectively. The aim of this work was to study the influence of preparation method as well as type and amount of the composite components on the surface properties and photocatalytic activity of the new semiconducting...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• SEMICONDUCTORS+

  Czasopisma

  ISSN: 1063-7826 , eISSN: 1090-6479

• 2D Materials

  Czasopisma

  ISSN: 2053-1583

• A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2013

  A quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Journal of Semiconductors

  Czasopisma

  ISSN: 1674-4926

• Semiconductors and Semimetals

  Czasopisma

  ISSN: 0080-8784

• SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY

  Czasopisma

  ISSN: 0268-1242 , eISSN: 1361-6641

• Mobility measurements in oxide semiconductors

  Publikacja

  • E. Prociów
  • M. S. Łapiński
  • J. Domaradzki
  • D. Wojcieszak
  • K. Sieradzka
  • T. Berlicki

  - Rok 2009

  Praca zawiera wyniki badań właściwości elektrycznych, optycznych i strukturalnych cienkich warstw ito i sno2. badania wykazały, że cienkie warstwy tlenków metali wykazują rezystywność charakterystyczną dla półprzewodników. poziom transmisji światła w zakresie widzialnym pozwala zaliczyć badane warstwy do materiałów przezroczystych. badane cienkie warstwy wykonano metodą rozpylania magnetronowego.

• Noise in semiconductor devices

  Publikacja

  • A. Konczakowska
  • B. Wilamowski

  - Rok 2010

  Omówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.