Wyszukiwarka
Abstrakt
A quasi-two-dimensional (quasi-2D) representation of the MOSFET channel is proposed in this work. The representation lays the foundations for a quasi 2D MOSFET model. The quasi 2D model is a result of a 2D into quasi 2D transformation. The basis for the transformation are an analysis of a current density vector field and such phenomena as Gradual Channel Detachment Effect (GCDE), Channel Thickness Modulation Effect (CTME), and Lengthening Channel Effect (LCE). Basic parameters and quantities necessary for deriving quasi-2D continuity equations, quasi-2D Poisson’s equation, quasi-2D transport equation, as well as development of quasi-2D dc and small-signal models are defined.
Cytowania
-
0
CrossRef
-
0
Web of Science
-
0
Scopus
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
strony 50 - 52,
ISSN: 0033-2089 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2013
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W.: A Quasi-2D MOSFET Model — 2D-to-Quasi-2D Transformation// Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania. -., iss. 9 (2013), s.50-52
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.15199/ele-2014-131
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 57 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
TIME- AND FREQUENCY-DOMAIN QUASI-2D SMALL-SIGNAL MOSFET MODELS
- W. Kordalski,
- T. Stefański,
- D. Trofimowicz