Improved top hat and ushaped resistors for huigh precision laser trimming.

Marek Wroński

Improved top hat and ushaped resistors for huigh precision laser trimming.

Abstract

Przedstawiono nowe podejście do poprawy charakterystyk strojenia rezystorów warstwowych typu ''kapelusza'' i typu ''U'' z cięciem prostym pośrodku struktury polegająca na wprowadzeniu zaworki przewodzącej w górnej części rezystora. Umożliwia to eliminację lokalnych przegrzewów oraz zwiększenia dokładności strojenia i wzrostu stabilności.

Author (1)

Marek Wroński dr inż.

Cite as

Full text

full text is not available in portal

Keywords

Details

Category:: Conference activity
Type:: publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Title of issue:: Proceedings. 27th International Conference and Exhibition IMAPS-Poland 2003. strony 284 - 287
Language:: English
Publication year:: 2003
Bibliographic description:: Wroński M.: Improved top hat and ushaped resistors for huigh precision laser trimming.// Proceedings. 27th International Conference and Exhibition IMAPS-Poland 2003. / Gliwice: Siles. Univ. Technol., 2003, s.284-287
Verified by:: Gdańsk University of Technology