Search results for: IMPEDANCJA WEJŚCIOWA

• Wejściowo-wyjściowa metoda detekcji uszkodzeń w elektronicznych układach analogowych uwzględniająca tolerancje elementów.

  Publication

  • Z. Czaja

  - Year 2004

  Przedstawiono nowe podejście detekcji i lokalizacji uszkodzeń w elektronicznych układach analogowych z uwzględnieniem tolerancji elementów. Składa się ono z dwóch etapów. W pierwszym etapie tworzony jest słownik uszkodzeń składający się z opisu elipsy aproksymującej obszar nominalny reprezentujący brak uszkodzeń i współczynników określających szerokość pasów lokalizacyjnych. Zaprezentowano nowy algorytm tworzenia takiej elipsy...

• Programowalny zlinearyzowany wejściowy stopieńwzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS

  Publication

  • S. Szczepański
  • B. Pankiewicz

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Year 2008

  W artykule przedstawiono zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS. W jego skład wchodzi para różnicowa, prosty jednostopniowy wzmacniacz operacyjny o szerokim paśmie oraz rezystor. Elementy te pracują objęte pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego a linearyzacja osiągana jest przez powielenie liniowych charakterystyk rezystora. W rezultacie otrzymujemy wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego...

• Filtr wyjściowy falownika napięcia

  Publication

  • J. Guziński

  - Year 2005

  W artykule przedstawiono układ filtru wyjściowego falownika napięcia zapewniającego zasilanie silnika napięciem i prądem sinusoidalnym przy równoczesnym ograniczeniu składowej zerowej prądu pojawiającej się w przewodzie ochronnym silnika. Przez odpowiedni dobór parametrów filtru osiągnięto minimalizację przesunięć fazowych prądów i napięć przed i za filtrem. W artykule zaprezentowano wyniki badań eksperymentalnych filtrów. Badania...

• Programowalny zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego cmos

  Publication

  • S. Szczepański
  • B. Pankiewicz

  - Year 2008

  W artykule przedstawiono zlinearyzowany wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego CMOS. W jego skład wchodzi para różnicowa, prosty jednostopniowy wzmacniacz operacyjny o szerokim paśmie oraz rezystor. Elementy te pracują objęte pętlą ujemnego sprzężenia zwrotnego a linearyzacja osiągana jest przez powielenie liniowych charakterystyk rezystora. W rezultacie otrzymujemy wejściowy stopień wzmacniacza transkonduktancyjnego...

• Stopień wejściowy odbiornika satelitarnego systemu nawigacyjnego Galileo

  Publication

  • J. Demkowicz

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2007

  W artykule przedstawiono koncepcję odbiornika dla europejskiego satelitarnego systemu nawigacyjnego Galileo oraz najistotniejsze cechy takiego odbiornika. W szczegolności zwróceono uwage na jego stopień wejściowy, kluczoey z punktu widezenia akwizycji oraz śledzenia sygnału, pominięte natomiast zostały kolejne stopnie przetwarzania sygnału, związanie już z samymi obliczeniami nawigacyjnymi.

• Admitancja wejściowa i transadmitacyjna MOSFET'a w zakresie b. w. cz.

  Publication

  • W. Kordalski
  • T. Stefański

  - Year 2004

  Bazując na nowym nie quasi-statycznym modelu małosygnałowym tranzystora MOS, przeanalizowano i zweryfikowano eksperymentalnie aż do 30 GHz małosygnałową admitancję wejściową i transadmitancję tego elementu - dwa ważne i budzące najwięcej wątpliwości parametry macierzy admitancyjnej tranzystora.

• Impedance of cation-coupled electron transfer reaction: teoretical description of one pathway process

  Publication

  • K. Darowicki
  • A. Zieliński
  • J. Ryl
  • P. Ślepski

  - ELECTROCHIMICA ACTA - Year 2012

  Przyjęto możliwość występowanie dwóch wzajemnie sprzężonych reakcji. Opisana została impedancja sprzężonej reakcji przeniesienia elektronu z kationem. Wyznaczony został również model elektrycznego schematu zastępczego. Całkowita impedancja Faradayowska jest sumą impedancji przeniesienia elektronu i impedancji przeniesienia kationu. Przykłady pomiaru impedancyjnego w warunkach potencjostatycznych i potencjodynamicznych zostały omówione....

  Full text to download in external service

• Impedancje i składowe prądu zaburzeń w obwodach z łącznikami półprzewodnikowymi = Impedances and disturbance current components in the circuits with semiconductor switches

  Publication

  • K. Fagiewicz

  - Year 2005

  W referacie przedstawiono pewien sposób określenia impedancji i składowych prądu zaburzeń dla przypadku obwodu z łącznikiem półprzewodnikowym. Określono widmową impedancje obciążenia i impedancje wewnętrzną źródła oraz rozpływy składowych prądu zaburzeń. Zaprezentowano wyniki obliczeń dla pewnego przypadku obwodu. W wnioskach omówiono wpływ przyjętego układu zastępczego źródła zaburzeń oraz częstotliwości charakterystycznej na...

• Potencjał regionu i przedsiębiorstw - uwarunkowania wyjściowe MSP na Pomorzu

  Publication

  • J. Wasilczuk

  - Year 2010

  W rozdziale przeanalizowano potencjał wyjściowy regionu i przedsiębiorstw na Pomorzu w kontekście goszczenia EURO 2012. Analiza została oparta na dostępnych badaniach nt. konkurencyjności regionów, ale także na podstawie badań własnych prowadzonych wśród przedsiębiorców działających w tym regionie. Analizowano przede wszystkim otwartość MSP na wzrost i obierane przez firmy cele, zakładając, że właśnie przedsiębiorstwa o celach...

• Zastosowanie sondy wejściowej w komputerowym systemie pomiarowymdo spektroskopii wysokoimpedancyjnej.

  Publication

  • J. Hoja
  • G. Lentka

  - Year 2004

  W pracy przedstawiono komputerowy system pomiarowy do spektroskopii wysokoimpedancyjnej, w którym zastosowano sondę wejściową umożliwiającą pomiary impedancji do |Zx|<100Gohm w szerokim zakresie częstotliwości od 10uHz do 100kHz. Przeanalizowano wpływ głównych źródeł niepewności na dokładność wyznaczenia modułu i argumentu zespolonego stosunku sygnałów wydzielanych w sondzie. Podano wyniki symulacji komputerowych, które pozwoliły...