Search results for: TRANZYSTOR MOLEKULARNY

• Beata Krawczyk dr hab.

  People

  Katedra Biotechnologii i Mikrobiologii

  Beata Krawczyk, PhD, Professor Academic degrees, education, qualifications:  B. Krawczyk earned his master degree in Biology at the University of Gdansk, Biology Faculty, in 1986, and her PhD in Molecular Biology at the University of Gdansk, Biology Faculty, in 1996.  Postdoctoral degree (habilitation) in biological sciences in the discipline biology, Faculty of Natural Sciences, University of Szczecin, Szczecin, in 2009. In 2012...

• Tranzystory organiczne

  Publication

  • M. Polowczyk
  • E. Klugmann

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Year 2003

  W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

• Behawioralny model tranzystora IGBT

  Publication

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Przegląd Elektrotechniczny - Year 2010

  W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...

• Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET

  Publication

  • W. Kordalski
  • L. Damaszk
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2008

  Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.

• Uspehi Molekularnoj Onkologii

  Journals

  ISSN: 2313-805X , eISSN: 2413-3787

• A current-controlled FET

  Publication

  • W. Kordalski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2007

  A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...

• Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.

  Publication

  • W. Kordalski
  • M. Polowczyk
  • J. Czerwiński
  • J. Dzierżko
  • L. Dobrzański

  - Year 2004

  W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.

• Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET

  Publication

  • W. Kordalski
  • M. Pribbenow
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2008

  Zaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.

• Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

  Publication

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • M. Polowczyk
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana
  • K. Szymański
  • J. Woźniak

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2007

  Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...

• Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów

  Publication

  • M. Franz
  • J. Godlewski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Year 2017

  Artykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...

  Full text to download in external service