Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTOR MOLEKULARNY

• Beata Krawczyk dr hab.

  Osoby

  Katedra Biotechnologii i Mikrobiologii

  dr hab. Beata Krawczyk, prof. uczelni Stopnie naukowe, wykształcenie, kwalifikacje Beata Krawczyk uzyskała tytuł magistra biologii na Wydziale Biologii (wówczas: Wydział Biologii i Nauk o Ziemi), Uniwersytetu Gdańskiego w 1986 roku, a doktorat z biologii molekularnej na Wydziale Biologii (wówczas: Wydział Biologii, Geografii i Oceanologii) Uniwersytetu Gdańskiego w 1996 roku. Stopień doktora habilitowanego w zakresie nauk biologicznych...

• Tranzystory organiczne

  Publikacja

  • M. Polowczyk
  • E. Klugmann

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2003

  W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

• Behawioralny model tranzystora IGBT

  Publikacja

  • M. Turzyński
  • P. Chrzan

  - Przegląd Elektrotechniczny - Rok 2010

  W artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...

• Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • L. Damaszk
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Wyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.

• Uspehi Molekularnoj Onkologii

  Czasopisma

  ISSN: 2313-805X , eISSN: 2413-3787

• A current-controlled FET

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2007

  A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...

• Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • M. Polowczyk
  • J. Czerwiński
  • J. Dzierżko
  • L. Dobrzański

  - Rok 2004

  W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.

• Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • M. Polowczyk
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana
  • K. Szymański
  • J. Woźniak

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2007

  Zaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...

• Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET

  Publikacja

  • W. Kordalski
  • M. Pribbenow
  • B. Boratyński
  • M. Panek
  • J. Woźniak
  • I. Zborowska-Lindert
  • B. Ściana

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  Zaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.

• Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów

  Publikacja

  • M. Franz
  • J. Godlewski

  - Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania - Rok 2017

  Artykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym