A current-controlled FET - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

A current-controlled FET

Abstrakt

A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated to low-power and low-voltage integrated circuit applications and besides it can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. As an element of analog integrated circuits, it can be applied to realize, e.g., a potential free current amplifier, an operational potential free current amplifier (scaling, summation, subtracting, differentiating, and integrating), and a voltage current multiplier.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne nr T. 14, strony 635 - 647,
ISSN: 1732-1166
Język:
angielski
Rok wydania:
2007
Opis bibliograficzny:
Kordalski W.: A current-controlled FET// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 14., (2007), s.635-647
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 18 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi