Wyszukiwarka
Abstrakt
A novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated to low-power and low-voltage integrated circuit applications and besides it can be used to measure or detect steady or variable magnetic fields. As an element of analog integrated circuits, it can be applied to realize, e.g., a potential free current amplifier, an operational potential free current amplifier (scaling, summation, subtracting, differentiating, and integrating), and a voltage current multiplier.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne
nr T. 14,
strony 635 - 647,
ISSN: 1732-1166 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2007
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W.: A current-controlled FET// Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne. -Vol. T. 14., (2007), s.635-647
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 53 razy