Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 590
-
Katalog
- Publikacje 391 wyników po odfiltrowaniu
- Czasopisma 1 wyników po odfiltrowaniu
- Wydawnictwa 3 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 39 wyników po odfiltrowaniu
- Wynalazki 1 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 22 wyników po odfiltrowaniu
- Zespoły Badawcze 4 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 56 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 5 wyników po odfiltrowaniu
- Dane Badawcze 68 wyników po odfiltrowaniu
Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTOR MOLEKULARNY
-
Beata Krawczyk dr hab.
Osobydr hab. Beata Krawczyk, prof. uczelni Stopnie naukowe, wykształcenie, kwalifikacje Beata Krawczyk uzyskała tytuł magistra biologii na Wydziale Biologii (wówczas: Wydział Biologii i Nauk o Ziemi), Uniwersytetu Gdańskiego w 1986 roku, a doktorat z biologii molekularnej na Wydziale Biologii (wówczas: Wydział Biologii, Geografii i Oceanologii) Uniwersytetu Gdańskiego w 1996 roku. Stopień doktora habilitowanego w zakresie nauk biologicznych...
-
Tranzystory organiczne
PublikacjaW artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.
-
Behawioralny model tranzystora IGBT
PublikacjaW artykule przedstawiono rezultaty prac nad uniwersalnym modelem tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką (IGBT), przydatnym w symulacjach układów energoelektronicznych wymagających odwzorowania stanów ustalonych i dynamicznych. Rozważono behawioralny model IGBT w układzie klasycznym z nieliniowymi aproksymacjami pojemności pasożytniczych. Eksperymentalne testy modelu modułu IGBT typu CM200DY-24A (Mitsubishi) przeprowadzono w...
-
Małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET
PublikacjaWyprowadzono małosygnałowy model tranzystora typu MAGFET pracującego jako czujnik pola magnetycznego, w którym uwzględniono wzajemne oddziaływanie napięć drenów. Wykorzystując nowoopracowany model obliczono czułość napięciową typowego układu pracy MAGFET-a na pole magnetyczne.
-
Uspehi Molekularnoj Onkologii
Czasopisma -
A current-controlled FET
PublikacjaA novel semiconductor device, viz., Horizontally-Split-Drain Current-Controlled Field-Effect Transistor (HSDCCFET) with two control electrodes is proposed in this works. For the sake of brevity, the device can be called a CCFET. Operating principle of the proposed transistor is based on one of the galvanomagnetic phenomena, the Biot-Savart-Laplace law and a Gradual Channel Detachment Effect (GCDE). The transistor is dedicated...
-
Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.
PublikacjaW artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
-
Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów
PublikacjaArtykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...
-
Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
PublikacjaZaproponowano stałoprądowy model dwudrenowego tranzystora polowego typu HSD MAGFET, wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego o dużej czułości na zmiany pola magnetycznego i dużej geometrycznej rozdzielczości pomiarowej. Zaprezentowany model odzwierciedla zjawisko podziału prądu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów i uwzględnia wzajemne oddziaływanie napięć drenów VDS1 i VDS2 na prady drenów ID1 i ID2 poprzez wprowadzenie...
-
Weryfikacja stałoprądowego modelu tranzystora typu MAGFET
PublikacjaZaproponowano kompletny, stałoprĄdowy model tranzystora typu MAGFET wykorzystywanego jako czujnik pola magnetycznego. Zaprezentowany model odzwierciedla zależnoŚć podziału prĄdu płynącego w kanale tranzystora na prądy drenów od napięć drenów.
-
Diagnostyka molekularna w zakażeniach szpitalnych
PublikacjaOpisano najczęściej wykorzystywane techniki genotypowania w badaniach zakażeń szpitalnych z uwzględnieniem ich powtarzalności i potencjału różnicującego oraz problemów technicznych i ponoszonych kosztów. Makrorestrykcyjna analiza genomowego DNA z wykorzystaniem PFGE (ang. Pulsed Field Gel Electrophoresis)jest uważana za ''złoty standard'' w typowaniu molekularnym. Jednak jest ona czasochłonna, pracochłonna i dlatego nie nadaje...
-
Symulacje dynamiczno-molekularne ultraprecyzyjnego skrawania metali.
PublikacjaW pracy krótko przedstawiono powstałe w latach 1995-2001 algorytmy MD specjalizowane do symulacji przebiegu skrawania w skali nanometrycznej (ARMD iLRMD). W świetle tych algorytmów zaprezentowano opracowany przez autorów nowy algorytm i program do symulacji nanociencia, nano MD, oraz pokazano wybrane wyniki uzyskane za jego pomocą.
-
Wstęp do elektroniki molekularnej
PublikacjaZastosowanie pojedynczych molekuł lub układów molekularnych do budowy elementów elektronicznych jest poważnym wyzwaniem dla inżynierów i naukowców, w chwili obecnej i w najbliższej przyszłości. celem tego skryptu jest przybliżenie czytelnikowi podstawowych zagadnień dotyczących elektroniki molekularnej, opartej zarówno na układach zbudowanych z wielu molekuł, jak i jednej molekuły. Jest ona przeznaczona dla studentów i pracowników...
-
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
PublikacjaPrzedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
-
Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
PublikacjaPrzedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...
-
Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.
PublikacjaZaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.
-
Molekularny mechanizm biogenezy fimbrii Dr uropatogennych szczepów Escherichia coli.
Publikacja.
-
Modelowanie molekularne w projektowaniu nowych chemoterapeutyków przeciwgrzybowych
PublikacjaGwałtowny wzrost inwazyjnych zakażeń typu grzybowego jest jednym z największych problemów współczesnej medycyny, a mimo to na rynku leków przeciwgrzybicznych dostępnych jest zaledwie kilka chemoterapeutyków. Dzieje się tak, gdyż duże podobieństwo komórek ludzkich i grzybowych jak dotąd uniemożliwiało opracowanie w pełni skutecznych a zarazem nietoksycznych dla człowieka leków. Obecnie prowadzone badania najczęściej skupiają się...
-
Metody molekularne w dochodzeniach epidemiologicznych zakażeń szpitalnych
PublikacjaW dochodzeniu epidemiologicznym wykorzystuje się zmienność genetyczną mikroorganizmów do tzw. typowania genetycznego drobnoustrojów. W pracy omówiono metody genotypowe wykorzystujące podstawowe narzędzia molekularne, ukazano możliwości wykorzystania typowania drobnoustrojów w różnych aspektach badań mikrobiologicznych.
-
The behavioural model of graphene field-effect transistor
PublikacjaThe behavioural model of a graphene field-effect transistor (GFET) is proposed. In this approach the GFET element is treated as a “black box” with only external terminals available and without considering the physical phenomena directly. The presented circuit model was constructed to reflect steady-states characteristics taking also into account GFET capacitances. The authors’ model is defined by a relatively small number of equations...
-
Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.
PublikacjaW pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą...
-
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
PublikacjaZaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a
-
A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.
PublikacjaPrzedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.
-
Struktury fotowoltaiczne z planarnym heterozłączem półprzewodnik II-VI / półprzewodnik molekularny
PublikacjaArtykuł przedstawia wybrane wyniki badań własnych nad układami hybrydowymi zbudowanymi na bazie złącza półprzewodnik nieorganiczny II-VI/półprzewodnik organiczny. Na podstawie analizy położenia pasm energetycznych warstw wchodzących w skład wytworzonych ogniw oraz charakterystyk spektralnych prądu zwarcia tych urządzeń określone zostały procesy prowadzące do fotogeneracji nośników ładunku w badanych układach. W ogniwach zbudowanych...
-
Synthesis and polymerisation techniques of molecularly imprinted polymers
PublikacjaMolecularly Imprinted Polymers (MIPs) are materials that has been processed using the molecular imprinting technique which permit to obtain well-defined three-dimensional cavities, with affinity to a template molecule, in the polymer matrix. Technology involves three strategies, i.e., covalent, non-covalent and semi-covalent approach, but the most popular is non-covalent approach. The most important components for the synthesis...
-
Detekcja materiałów przy użyciu organicznych tranzystorów polowych
PublikacjaW ciągu ostatnich dwudziestu lat nastąpił rozwój elektroniki organicznej, która stała się ważnym obszarem badań naukowych i technologicznych. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne i organiczne diody elektroluminescencyjne zostały wykorzystane w urządzeniach komercyjnych, a jednym z najbardziej obiecujących zastosowań dla organicznych tranzystorów polowych są czujniki chemiczne i biologiczne. Postęp w tej dziedzinie jest tematem tego...
-
Graphene field-effect transistor application for flow sensing
PublikacjaMicroflow sensors offer great potential for applications in microfluidics and lab-on-a-chip systems. However, thermal-based sensors, which are commonly used in modern flow sensing technology, are mainly made of materials with positive temperature coefficients (PTC) and suffer from a self-heating effect and slow response time. Therefore, the design of novel devices and careful selection of materials are required to improve the overall...
-
Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
PublikacjaW artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych...
-
Przegląd metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy
PublikacjaW artykule przedstawiono kilka metod monitorowania stanu technicznego tranzystorów mocy, które są lub mogą być wbudowane w układy przekształtnikowe. Celem artykułu jest określenie aktualnego stanu badań na ten temat. Prezentowane metody przeznaczone są do monitorowania istotnych objawów starzenia modułów mocy: rozwarstwiania struktury modułu na skutek termomechanicznego zmęczenia stopu lutowniczego, uszkodzeń połączeń drutowych...
-
Przetwornica dc-dc z miękką komutacją tranzystorów
PublikacjaW artykule zaprezentowano wyniki badań eksperymentalnych przetwornicy DC-DC o mocy 20[kW], w której ograniczenie komutacyjnych strat mocy zapewniono poprzez wykorzystanie dławika z odczepem oraz dodatkowego obwodu rezonansowego. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu wartości parametrów poszczególnych elementów układu przetwornicy na zachowanie warunków miękkiej komutacji.
-
Zastosowanie tranzystorów IGBT w napędach maszyn wibracyjnych
PublikacjaPrzedstawiono układ elektroniczny stopnia mocy maszyny wibracyjnej i przetwarzanie cyfrowe sygnałów sterujących. W rozwiązaniu tym zastosowano układ mostka tranzystorów IGBT sterowany mikroprocesorowo przy użyciu generatora PWM, który wytwarza sygnał o przebiegu prostokątnym z cyfrowo regulowanym wypełnieniu oraz z możliwością zmiany częstotliwości w dużym zakresie. Wykonany stopień mocy zastosowano do zasilania wzbudnika drgań...
-
Przetwornica dc-dc z miękką komutacją tranzystorów
PublikacjaW artykule zaprezentowano wyniki badań eksperymentalnych przetwornicy DC-DC o mocy 20[kW], w której ograniczenie komutacyjnych strat mocy zapewniono poprzez wykorzystanie dławika z odczepem oraz dodatkowego obwodu rezonansowego. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych wpływu wartości parametrów poszczególnych elementów układu przetwornicy na zachowanie warunków miękkiej komutacji.
-
Rezystancja rozproszona bramki tranzystora MOS w zakresie b. w. cz.
PublikacjaZaproponowano małosygnałowy schemat zastępczy tranzystora MOS z uwzględnieniem rezystancji rozproszonej bramki w zakresie częstotliwości radiowych i mikrofalowych. Na podstawie wyników pomiarowych dokonano identyfikacji wartości rezystancji rozproszonej. Przeprowadzono analizę rozkładu nośników nadmiarowych wzdłuż kanału tranzystora i na jej bazie podano interpretację fizyczną zależności rezystancji rozproszonej od częstotliwości...
-
Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.
PublikacjaZaproponowano nowy małosygnałowy model wysokoczęstotliwościowy tranzystora MOS oraz przedstawiono wyniki jego weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości aż do 30 GHz.
-
Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm
PublikacjaW artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.
-
Autofagia: mechanizm molekularny, apoptoza i nowotwory = Autophagy: molecular mechanism, apoptosis and cancer
PublikacjaW pracy omówiono molekularny mechanizm autofagii oraz najważniejsze szlaki sygnałowe uczestniczące w regulacji przebiegu tego procesu w komórkach nowotworowych. Omówiona została również dwojaka rola autofagii w procesie nowotworzenia oraz skutki zarówno indukcji, jak i inhibicji autofagii w terapii przeciwnowotworowej
-
Analiza elektromodulowanej fotoluminescencji w organicznych układach molekularnych
PublikacjaCelem niniejszej rozprawy doktorskiej jest poddanie interpretacji danych doświadczalnych uzyskanych w pomiarach elektromodulowanej fotoluminescencji (EML), na gruncie różnych modeli teoretycznych separacji nośników ładunku pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego w organicznym molekularnym ciele stałym. Zainteresowanie powyższą tematyką wynika z konieczności weryfikacji istniejących modeli zjawisk fizycznych w materiałach molekularnych...
-
Identyfikacja sekwencji markerowych w mikologicznej diagnostyce molekularnej
PublikacjaProcedury diagnostyki mikologicznej coraz częściej wykorzystują metody molekularne, oparte na analizie kwasów nukleinowych. Pozwala to na skrócenie czasu analizy oraz polepszenie wielu innych, istotnych dla procesu diagnostycznego parametrów takich jak: czułość, powtarzalność, specyficzność oraz potencjał różnicujący. Istotnym etapem przy projektowaniu układów do diagnostyki molekularnej grzybów jest wybór celu molekularnego. Powszechnie...
-
Techniki biologii molekularnej w analityce produktów mięsnych
PublikacjaW pracy przedstawiono możliwości wykorzystania reakcji PCR (Polymerase Chain Reaction) do identyfikacji patogennych drobnoustrojów a także do badania składu surowcowego w mięsnych produktach żywnościowych.
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublikacjaW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublikacjaTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne
PublikacjaZaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.
-
Behawioralne modelowanie tranzystorów IGBT do symulacji układów energoelektronicznych
PublikacjaW monografii dokonano syntezy behawioralnego modelu tranzystora IGBT o strukturze klasycznej, odzwierciedlającego właściwości statyczne oraz dynamiczne IGBT. Zaproponowane metody identyfikacji parametrów modelu bazują na danych katalogowych oraz wynikach eksperymentalnych. Do zaproponowanych metod identyfikacji parametrów modelu wymagane są dane katalogowe, tj. charakterystyki statyczne: iC(uGE), uC(uCE) oraz charakterystyka dynamiczna...
-
Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach
PublikacjaPółprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz...
-
Method of sacrificial anode transistor-driving in cathodic protection system
PublikacjaA magnesium anode driving system has been proposed. A PNP driving transistor has been used. Electrochemical testing in 3%NaCl, results and comparison of the driving system and classic direct anode to cathode connection are presented. The driving system reduced the protection current and stabilized the working conditions of the anode. Higher anode efficiency was achieved. Overprotection and hydrogen embrittlement threats were prevented...
-
Modelling of Graphene Field-Effect Transistor for lectronic sensing applications
PublikacjaA top-gated Graphene Field-Effect Transistor (GFET) suitable for electronic sensing applications was modelled. The applied simulation method reproduces correctly the output transfer GFET characteristics and allows to investigate doping effect caused by different physical, chemical or biological factors. The appearance of additional charge in the system results in the shift of the current-voltage characteristic. This feature could...
-
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
PublikacjaW artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
Zależność parametrów quasi-dwuwymiarowego modelu małosygnałowego tranzystora MOS od punktu pracy
PublikacjaW artykule zaprezentowano wyniki optymalizacji zagadnień wielowymiarowych, zastosowanej do ekstrakcji wartości parametrów nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora MOS dla różnych punktów pracy. Opisano zaimplementowany algorytm i otrzymane rezultaty badań.
-
Dehydrogenaza sacharopiny (NADP+, tworząca L-glutaminian) z Candida albicans jako cel molekularny
Publikacja......
-
alfa-Aminotransferaza kwasu L-alfa-aminoadypinowego z Candida albicans jako cel molekularny
Publikacja...