Wyszukiwarka
Abstrakt
Półprzewodnikowe przyrządy mocy z węglika krzemu (SiC) osiągnęły poziom technologiczny umożliwiający powszechne stosowanie w układach przekształtnikowych. W artykule omówiono ostatnie osiągnięcia dotyczące układów przekształtnikowych z przyrządami z węglika krzemu oraz wybrane wyniki badań realizowane na Politechnice Gdańskiej. W artykule opisano właściwości statyczne i dynamiczne tranzystorów MOSFET i JFET z węglika krzemu oraz zagadnienia związane z realizacją ultraszybkich układów sterowania bramkowego. Przedstawiono przykłady wykonanych przekształtników o mocach do 40 kW, m.in. do napędu z silnikiem wysokoobrotowym oraz małej elektrowni wiatrowej.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Automatyka Elektryka Zakłócenia
nr 5,
wydanie 1 (15),
strony 60 - 72,
ISSN: 2082-4149 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2014
- Opis bibliograficzny:
- Adamowicz M.: Charakterystyka tranzystorów z węglika krzemu w wysokosprawnych przekształtnikach// Automatyka Elektryka Zakłócenia. -Vol. 5., iss. 1 (15) (2014), s.60-72
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 184 razy