Wyszukiwarka
Abstrakt
W referacie przedstawiono konstrukcję oraz wyniki badań trójfazowego falownika napięcia zbudowanego z wykorzystaniem diod Schottky oraz tranzystorów JFET z węglika krzemu (SiC). Znacznie krótsze czasy przełączeń tych elementów w porównaniu z tranzystorami IGBT i diodami na bazie krzemu (Si) umożliwiają pracę układu z częstotliwością 100 kHz i wyższą. Małe energie przełączeń oraz mała rezystancja drenu tranzystorów SiC JFET pozwalają na budowę przekształtników o sprawności blisko 98%. Duża stromość narastania napięcia rzędu dziesiątek kV/μs powoduje problemy EMC oraz EMI.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Opublikowano w:
-
Przegląd Elektrotechniczny
strony 76 - 79,
ISSN: 0033-2097 - Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2012
- Opis bibliograficzny:
- Giziewski S.: Trójfazowy falownik napięcia z tranzystorami SiC JFET// Przegląd Elektrotechniczny. -, nr. nr 4b (2012), s.76-79
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 163 razy