Wyszukiwarka
Abstrakt
W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą źródła i elektrodą drenu) i szerokości 1048 m. Warstwy ftalocyjaniny cynku o grubości 60 nm naparowywano na podłoże ze średnią szybkością 0.1 Ǻ/s pod wysoką próżnią (10-6 mbar). Pomiary prowadzono w temperaturze pokojowej w atmosferze powietrza. Obejmowały one zależności natężenia prądu źródło-dren w funkcji napięcia źródło-dren przy różnych stałych wartościach napięcia źródło-bramka. W obszarze liniowym charakterystyk wyznaczono kondunktancję kanału tranzystora, na podstawie której następnie oszacowano ruchliwość dziur w badanych warstwach ftalocyaniny cynku.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Opublikowano w:
-
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
nr 26,
strony 69 - 74,
ISSN: 1505-1013 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2006
- Opis bibliograficzny:
- Metel E., Jarosz G.: Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.// SCIENTIFIC BULLETIN OF THE TECHNICAL UNIVERSITY OF ŁÓDŻ, PHYSICS. -Vol. 26., nr. Spec. iss. No 987 (2006), s.69-74
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 115 razy