Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine. - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.

Abstrakt

W pracy przedstawiono wyniki badań doświadczalnych organicznego tranzystora polowego z warstwą ftalocyjaniny cynku. Jako podłoże zastosowano wysoko domieszkowane wafle krzemu pokryte warstwą tlenku krzemu (IV) o grubości 100 nm, na którą techniką fotolitograficzną była naniesiona struktura elektrod (tzw. geometria dolnych kontaktów). Złote elektrody źródła i drenu tworzyły kanał o długości 5 m (jest to odległość między elektrodą źródła i elektrodą drenu) i szerokości 1048 m. Warstwy ftalocyjaniny cynku o grubości 60 nm naparowywano na podłoże ze średnią szybkością 0.1 Ǻ/s pod wysoką próżnią (10-6 mbar). Pomiary prowadzono w temperaturze pokojowej w atmosferze powietrza. Obejmowały one zależności natężenia prądu źródło-dren w funkcji napięcia źródło-dren przy różnych stałych wartościach napięcia źródło-bramka. W obszarze liniowym charakterystyk wyznaczono kondunktancję kanału tranzystora, na podstawie której następnie oszacowano ruchliwość dziur w badanych warstwach ftalocyaniny cynku.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź nr 26, strony 69 - 74,
ISSN: 1505-1013
Język:
angielski
Rok wydania:
2006
Opis bibliograficzny:
Metel E., Jarosz G.: Organic filed effect transistor with zinc phthalocyanine.// SCIENTIFIC BULLETIN OF THE TECHNICAL UNIVERSITY OF ŁÓDŻ, PHYSICS. -Vol. 26., nr. Spec. iss. No 987 (2006), s.69-74
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 15 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi