Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS

Abstrakt

Przedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku ruchomego pomijanego w modelach opartych na przybliżeniu łagodnego kanału. Przedstawiono rezultaty obliczeń numerycznych rozkładów gęstości ładunku ruchomego wzdłuż kanału tranzystora, otrzymane za pomocą ATLAS'a - symulatora pracy przyrządów półprzewodnikowych.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Język:
polski
Rok wydania:
2005
Opis bibliograficzny:
Kordalski W., Tomaszewski D.: Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS// . -., (2005),
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 9 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi