Wyszukiwarka
Abstrakt
Przedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku ruchomego pomijanego w modelach opartych na przybliżeniu łagodnego kanału. Przedstawiono rezultaty obliczeń numerycznych rozkładów gęstości ładunku ruchomego wzdłuż kanału tranzystora, otrzymane za pomocą ATLAS'a - symulatora pracy przyrządów półprzewodnikowych.
Autorzy (2)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2005
- Opis bibliograficzny:
- Kordalski W., Tomaszewski D.: Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS// . -., (2005),
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 50 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Modelowanie numeryczne nowego czujnika pola magnetycznego
- M. Panek,
- W. Kordalski,
- B. Ściana
- + 2 autorów