Wyszukiwarka
Structure evolution of V2O5 thin films deposited on silicon substrate - High-Temperature X-ray Diffraction
Opis
The DataSet contains the XRD patterns of V2O5 thin films deposited on silicon substrates (111). The thin films were obtained by the sol-gel method. The information about sol synthesis is described in the Journal of Nanomaterials. The sol was deposited on the silicon substrate. The structure was measured in-situ during heating between 50-800°C under synthetic air.
X-ray diffraction patterns (XRD) were collected on a Philips X’PERT PLUS diffractometer with Cu Ka radiation (1.5406 Å) and ranging from 10 to 80 degrees.
Plik z danymi badawczymi
Silicon.zip
152.7 kB,
S3 ETag
4e2ad7eeb523086beb7e99f5a60d3212-1,
pobrań: 7
Hash pliku liczony jest ze wzoru
Przykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
hexmd5(md5(part1)+md5(part2)+...)-{parts_count} gdzie pojedyncza część pliku jest wielkości 512 MBPrzykładowy skrypt do wyliczenia:
https://github.com/antespi/s3md5
Informacje szczegółowe o pliku
- Licencja:
-
otwiera się w nowej karcie
CC BYUznanie autorstwa - Dane surowe:
- Dane zawarte w datasecie nie zostały w żaden sposób przetworzone.
Informacje szczegółowe
- Rok publikacji:
- 2021
- Data zatwierdzenia:
- 2021-06-22
- Język danych badawczych:
- angielski
- Dyscypliny:
-
- inżynieria materiałowa (Dziedzina nauk inżynieryjno-technicznych)
- DOI:
- Identyfikator DOI 10.34808/n7zk-px84 otwiera się w nowej karcie
- Seria:
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
Słowa kluczowe
Powiązane zasoby
Cytuj jako
Autorzy
wyświetlono 42 razy