Wyszukiwarka
Abstrakt
The undoped and B-doped polycrystalline diamond thin film was synthesized by hot filament chemical vapor deposition and microwave plasma, respectively. The structural characterization was performed by scanning electron microscopy, X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The electrical properties of synthesized diamond layer were characterized by dc-conductivity method and charge deep level transient spectroscopy. The B-doped diamond layers show higher sp2 /sp3 ratios in comparison with that of undoped layers what can have an essential influence on the localized density of states associated with shallow hydrogen acceptor states what is reflected in the values of activation energies which reached the values of 38 meV for B-doped and 55 meV for undoped diamond layers, respectively. The existence of deep level traps, as, for example, associated with B-related acceptors, was not observed.
Cytowania
-
6
CrossRef
-
0
Web of Science
-
7
Scopus
Autorzy (8)
-
Kazimierz Paprocki
-
Kazimierz Fabisiak
-
Elżbieta Staryga
-
Mirosław Szybowicz
-
Magdalena Kowalska
-
Agnieszka Banaszak-Piechowska
Cytuj jako
Pełna treść
- Wersja publikacji
- Accepted albo Published Version
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1007/s10853-017-1217-0
- Licencja
-
otwiera się w nowej karcie
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
- Opublikowano w:
-
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE
nr 52,
wydanie 17,
strony 10119 - 10126,
ISSN: 0022-2461 - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2017
- Opis bibliograficzny:
- Paprocki K., Fabisiak K., Bogdanowicz R., Gołuński Ł., Staryga E., Szybowicz M., Kowalska M., Banaszak-Piechowska A.: Charge-based deep level transient spectroscopy of B-doped and undoped polycrystalline diamond films// JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE. -Vol. 52, iss. 17 (2017), s.10119-10126
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1007/s10853-017-1217-0
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 135 razy
Publikacje, które mogą cię zainteresować
Boron-Doped Diamond/GaN Heterojunction—The Influence of the Low-Temperature Deposition
- M. Sobaszek,
- M. Gnyba,
- S. Kulesza
- + 3 autorów
Optical and electrical properties of ultrathin transparent nanocrystalline boron-doped diamond electrodes
- M. Sobaszek,
- Ł. Skowroński,
- R. Bogdanowicz
- + 7 autorów