Wyszukiwarka
Abstrakt
W artykule przedstawiono analizę wpływu zmian temperatury na ciemne charakterystyki prądowo-napięciowe ogniw fotowoltaicznych i diod z monokrystalicznego krzemu. Badania eksperymentalne przeprowadzono w zakresie temperatur od 295 do 373 K. W celu wyznaczenia wartości rezystancji szeregowej wyznaczono szereg ciemnych charakterystyk I-U. Stwierdzono, że rezystancja szeregowa rośnie wraz ze wzrostem temperatury 0,65% /K i dlatego ochrona krzemowych ogniw fotowoltaicznych i diod przed szkodliwym wzrostem temperatury jest istotna dla uzyskania jak najlepszych parametrów eksploatacyjnych.
Autor (1)
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Publikacja w czasopiśmie
- Typ:
- artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
- Opublikowano w:
-
INTERNATIONAL JOURNAL OF ENERGY RESEARCH
nr 30,
strony 127 - 134,
ISSN: 0363-907X - Język:
- angielski
- Rok wydania:
- 2006
- Opis bibliograficzny:
- Klugmann-Radziemska E.: Effect of temperature on dark current characteristics of silicon solar cells and diodes// INTERNATIONAL JOURNAL OF ENERGY RESEARCH. -Vol. 30., (2006), s.127-134
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 63 razy