Wyszukiwarka
Electrical and noise properties of graphene gate fin-shaped GaN/AlGaN field effect transistors for high frequency electronics
Abstrakt
Cytowania
-
0
CrossRef
-
0
Web of Science
-
0
Scopus
Autor (1)
-
G. Cywinski
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Informacje szczegółowe
- Rok wydania:
- 2022
- DOI:
- Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1109/irmmw-thz50927.2022.9895991
- Weryfikacja:
- Brak weryfikacji
wyświetlono 0 razy