GaN Nanowire Array for Charge Transfer in Hybrid GaN/P3HT:PC71BM Photovoltaic Heterostructure Fabricated on Silicon - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

GaN Nanowire Array for Charge Transfer in Hybrid GaN/P3HT:PC71BM Photovoltaic Heterostructure Fabricated on Silicon

Abstrakt

Abstract: We demonstrate that a GaN nanowire array can be used for efficient charge transfer between the organic photovoltaic layer and silicon in a Si/GaN/P3HT:PC71BM inverted hybrid heterostructure. The band alignment of such a material combination is favorable to facilitate exciton dissociation, carrier separation and electron transport into Si. The ordered nature of the GaN array helps to mitigate the intrinsic performance limitations of the organic active layer. The dependence of photovoltaic performance enhancement on the morphology of the nanostructure with nanowire diameters 30, 50, 60, 100 and 150 nm was studied in detail. The short circuit current was enhanced by a factor of 4.25, while an open circuit voltage increase by 0.32 volts was achieved compared to similar planar layers.

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 0

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Cytuj jako

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach
Opublikowano w:
Materials nr 13,
ISSN: 1996-1944
Język:
angielski
Rok wydania:
2020
Opis bibliograficzny:
Tchutchulashvili G., Chusnutdinow S., Mech W., Korona K. P., Reszka A., Sobanska M., Zytkiewicz Z. R., Sadowski W.: GaN Nanowire Array for Charge Transfer in Hybrid GaN/P3HT:PC71BM Photovoltaic Heterostructure Fabricated on Silicon// Materials -Vol. 13,iss. 21 (2020), s.4755-
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.3390/ma13214755
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 12 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi