Low-frequency noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons

Adil Rehman; Grzegorz Cywiński; W. Knap; Janusz Smulko; Alexander Balandin; Sergey Rumyantsev

doi:10.1063/5.0143641

Low-frequency noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons

Abstrakt

We report the results of the investigation of low-frequency electronic noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons. The test structures were of the back-gated field-effect-transistor type with a normally off n-channel and an on-to-off ratio of up to four orders of magnitude. The current–voltage transfer characteristics revealed significant hysteresis owing to the presence of deep levels. The noise in ZrS3 nanoribbons had spectral density SI ~ 1/f^c (f is the frequency) with c ~ 1.3–1.4 within the whole range of the drain and gate bias voltages. We used light illumination to establish that the noise is due to generation–recombination, owing to the presence of deep levels, and determined the energies of the defects that act as the carrier trapping centers in ZrS3 nanoribbons.

Cytowania

2

CrossRef
0

Web of Science
2

Scopus

Autorzy (6)

Adil Rehman
- 0000-0002-4330-5846
Grzegorz Cywiński
W. Knap
Janusz Smulko prof. dr hab. inż.
Alexander Balandin
- 0000-0002-9944-7894
Sergey Rumyantsev

Cytuj jako

Pełna treść

pobierz publikację

pobrano 0 razy

Wersja publikacji: Accepted albo Published Version
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1063/5.0143641
Licencja: Copyright (2023 AIP Publishing)

pełna treść artykułu zobacz w serwisie zewnętrznym otwiera się w nowej karcie

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:

Publikacja w czasopiśmie

Typ:

artykuły w czasopismach

Opublikowano w:

APPLIED PHYSICS LETTERS nr 122,
ISSN: 0003-6951

Język:

angielski

Rok wydania:

2023

Opis bibliograficzny:

Rehman A., Cywiński G., Knap W., Smulko J., Balandin A., Rumyantsev S.: Low-frequency noise in ZrS3 van der Waals semiconductor nanoribbons// APPLIED PHYSICS LETTERS -Vol. 122,iss. 9 (2023), s.090602-

DOI: