Modeling of Transient Photocurrent in Organic Semiconductors Incorporating the Annihilation of Excitons on Charge Carriers - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Modeling of Transient Photocurrent in Organic Semiconductors Incorporating the Annihilation of Excitons on Charge Carriers

Abstrakt

The role of the annihilation of excitons on charge carriers has been theoretically investigated in organic semiconductors. We have developed the numerical drift-diffusion model by incorporation terms which describe the annihilation process. The transient photocurrent has been calculated for different injection barrier heights, exciton mobilities, and annihilation rate constants. We have demonstrated that the annihilation has a great influence on the range and the rising time of the photocurrent.

Cytowania

  • 0

    CrossRef

  • 1

    Web of Science

  • 0

    Scopus

Pełna treść

pobierz publikację
pobrano 9 razy

Licencja

Copyright (Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk)

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:
ACTA PHYSICA POLONICA A nr 132, wydanie 2, strony 397 - 400,
ISSN: 0587-4246
Język:
angielski
Rok wydania:
2017
Opis bibliograficzny:
Głowienka D., Szmytkowski J.: Modeling of Transient Photocurrent in Organic Semiconductors Incorporating the Annihilation of Excitons on Charge Carriers// ACTA PHYSICA POLONICA A. -Vol. 132, iss. 2 (2017), s.397-400
DOI:
Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.12693/aphyspola.132.397
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 25 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi