Thermally affected parameters of the current-voltage characteristics of silicon photocell - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Thermally affected parameters of the current-voltage characteristics of silicon photocell

Abstrakt

W pracy wykazano: zależność wzrostu prądu zwarcia wskutek absorpcji dodatkowych fotonów ze wzrostem temperatury, spadek napięcia wbudowanego złącza p-n wraz ze wzrostem temperatury, wpływ temperatury na zmianę napięcia otwartego obwodu. Dodatkowo wyznaczone odpowiednie współczynniki temperaturowe porównano z wartościami wynikającymi z rozważań teoretycznych. Badano parametry elektryczne następujących elementów wykonanych z amorficznego krzemu: foto-diody BPYP 35, BPYP 30 oraz ogniw fotowoltaicznych krzemowych produkcji firmy Siemens.

Ewa Klugmann-Radziemska, Eugeniusz Klugmann. (2002). Thermally affected parameters of the current-voltage characteristics of silicon photocell. Energy Conversion And Management, 43(14), 1889-1900. Retrieved from

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Opublikowano w:
ENERGY CONVERSION AND MANAGEMENT nr 43, wydanie 14, strony 1889 - 1900,
ISSN: 0196-8904
Język:
angielski
Rok wydania:
2002
Opis bibliograficzny:
Klugmann-Radziemska E., Klugmann E.: Thermally affected parameters of the current-voltage characteristics of silicon photocell// ENERGY CONVERSION AND MANAGEMENT. -Vol. 43., iss. 14 (2002), s.1889-1900

wyświetlono 1 razy

Meta Tagi