Search
Didn't find any results in this catalog!
But we have some results in other catalogs.Filters
total: 3647
-
Catalog
displaying 1000 best results Help
Search results for: POWER SEMICONDUCTOR DEVICES
-
Noise in semiconductor devices
PublicationOmówiono typowe źródła szumów występujące w przyrządach pólprzewodnikowych, a mianowicie: cieplne, śrutowe, generacyjno-rekombinacyjne, 1/f, 1/f2, wybuchowe (RTS), lawinowe. Przedstawiono szumowe schematy zastępcze tranzystora bipolarnego, JFET i MOSFET oraz opisano wydajności poszczególnych źródeł szumów. Zasugerowano jak dobierać przyrządy półprzewodnikowe do małoszumowych układów w zakresie małych częstotliwości.
-
A new nethod for RTS noise of semiconductor devices identification
PublicationIn the paper, a new method, called the noise scatterin pattern method (NSP method), for random telegraph signal noise identyfication in the inherent noise of semiconductor devices is described. A block diagram of a noise measurement system based on the NSP method is presented. Examples of patterns of the NSP method are presented.
-
Methodology of semiconductor devices classification into groups of differentiated quality
PublicationZaproponowano klasyfikację przyrządów półprzewodnikowych do grup o zróżnicowanej jakości na podstawie ich szumów własnych z zakresu małych częstotliwości. Przedstawiono metodologię umożliwiającą stwierdzenie, czy zaproponowany parametr szumowy X dla danego typu przyrządu półprzewodnikowego może być stosowany do określenia jakości. Sprecyzowano przebieg badań wstępnych bazujących na ocenie wyników pomiarów szumów własnych z zakresu...
-
Identification of inherent noise components of semiconductor devices on an example of optocouplers
PublicationIn the paper, a method of estimation of parameters of Gaussian and non-Gaussian components in the noise signal of semiconductor devices in a frequency domain is proposed. The method is based on composing estimators of two spectra, corresponding to noise (Gaussian component) and two-level RTS noise (non-Gaussian component). The proposed method can be applied for precise evaluation of the corner RTS frequency fRTS in the noise...
-
A method of RTS noise identification in noise signals of semiconductor devices in the time domain
PublicationIn the paper a new method of Random Telegraph Signal (RTS) noise identification is presented. The method is based on a standardized histogram of instantaneous noise values and processing by Gram-Charlier series. To find a device generating RTS noise by the presented method one should count the number of significant coefficients of the Gram-Charlier series. This would allow to recognize the type of noise. There is always one (first)...
-
Techniques of interference reduction in probe system for wafer level noise measurements of submicron semiconductor devices.
PublicationPrzedstawiono skrótowo system do ostrzowych pomiarów szumów struktur submikronowych. Znaczny wpływ na pomiary ostrzowe mają zakłócenia i szumy własne systemu, zwłaszcza zakłócenia o wysokim poziomie wpraowadzane przez ostrza (fluktuacje rezystancji styków ostrza do struktury powodowane przez wibracje i udary mechaniczne w środowisku pomiarowym)i środowisko elektromagnetyczne. Zakłócenia okresowe powodowane przez wibracje i pola...
-
Power devices in Polish National Silicon Carbide Program
PublicationArtykuł zawiera informacje o polskim rządowym programie ''Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowania w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur''. Program zawiera trzy główne zadania zawierające następujące cele: wytworzenie podłoży z SiC, wytworzenie przyrządów z SiC oraz ocenę działania wybranych przyrządów w układach aplikacyjnych. Omówiono zastosowane metody wytwarzania podłoży,...
-
Energy consumption estimation of low-power devices using an integrating coulombmeter
PublicationThe main problem in designing devices powered with Energy Harvesting is an estimation of energy demand of low-power devices as well as quantity of energy provided by the selected energy transducer in the assumed work conditions. Due to the work characteristic of each block of the device and properties of the measured signal, measurement is not trivial. The paper presents the proposal of the micro-charge measurement device based...
-
Comparative Analysis of Reactive Power Compensation Devices in a Real Electric Substation
PublicationA constant worldwide growing load stress over a power system compelled the practice of a reactive power injection to ensure an efficient power network. For this purpose, multiple technologies exist in the knowledge market out of which this paper emphasizes the usage of the flexible alternating current transmission system (FACTS) and presents a comparative study of the static var compensator (SVC) with the static synchronous compensator...
-
Silicon Oxycarbide-Graphite Electrodes for High-Power Energy Storage Devices
PublicationHerein we present a study on polymer-derived silicon oxycarbide (SiOC)/graphite composites for a potential application as an electrode in high power energy storage devices, such as Lithium-Ion Capacitor (LIC). The composites were processed using high power ultrasound-assisted sol-gel synthesis followed by pyrolysis. The intensive sonication enhances gelation and drying process, improving the homogenous distribution of the graphitic...