Krzysztof Piskorski
Zatrudnienie
Słowa kluczowe Pomoc
Kontakt
- Xsyh@wp.pl
Wybrane publikacje
-
Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.
W referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.
wyświetlono 280 razy