Wyszukiwarka
Abstrakt
W referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.
Cytuj jako
Pełna treść
pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu
Słowa kluczowe
Informacje szczegółowe
- Kategoria:
- Aktywność konferencyjna
- Typ:
- publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
- Język:
- polski
- Rok wydania:
- 2004
- Opis bibliograficzny:
- Piskorski K., Kudła A., Przewłocki H.: Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.// / : , 2004,
- Weryfikacja:
- Politechnika Gdańska
wyświetlono 27 razy