Rok 2013

• Measurements of Subnanometer Molecular Layers

  Publikacja

  • M. Kokot

  - Rok 2013

  Selected methods of formation and detection of nanometer and subnanometer molecular layers were shown. Additionally, a new method of detection and measurement with subnanometer resolution of layers adsorbed or bonded to the gate dielectric of the ion selective field effect transistor (ISFET) was presented.

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

Rok 2011

• Measure small currents without adding resistive insertion loss

  Publikacja

  • M. Kokot

  - EDN - Rok 2011

  Floating current to voltage converter can be inserted in-line with no voltage drop and no need for a ground reference.

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Measurement of sub-nanometer molecular layers with ISFET without a reference electrode dependency

  Publikacja

  • M. Kokot

  - SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL - Rok 2011

  A new method of detection and measurement with sub-nanometer resolution of layers adsorbed or bonded to the ISFET's gate dielectric was presented. The sensitivity of this method is high enough to detect even partial mono-layer covering. The transconductance measurement of the ISFET provides independence of the output signal from pH changes and the driving electrode electrochemical potential instabilities. The stable reference electrode...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

Rok 2009

• Excitation-independent constant conductance isfet driver

  Publikacja

  • M. Kokot
  • T. Ossowski

  - Metrology and Measurement Systems - Rok 2009

  A new constant conductance driver for ISFETs sensors has been developed. The proposed circuit maintains the sensor operating point at constant drain-source conductance. The combination of a simple, self-balancing resistance bridge and the subtraction half (or similar fraction) of source-drain voltage from the gate-source voltage provides the independence of output signal from current and voltage drivers instability. The use of...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

Rok 2008

• Stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET

  Publikacja

  • M. Kokot
  • T. Ossowski

  - Measurement Automation Monitoring - Rok 2008

  Opracowano stałokonduktancyjny układ pracy dla czujników ISFET. Proponowany układ utrzymuje właściwy punkt pracy czujnika poprzez ustalenie konduktancji stałoprądowej dren źródło. Poprzez zastosowanie mostka rezystancyjnego oraz odjęcie połowy napięcia dren-źródło od napięcia bramka-źródło osiągnięto niewrażliwość układu na niestabilność źródeł prądowych czy napięciowych. Zbędne stało się stosowanie precyzyjnych źródeł prądowych...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Zastosowanie przetworników jonoczułych typu isfet w bezprzewodowych sieciach sensorowych

  Publikacja

  • M. Kokot

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Rok 2008

  W pracy przedstawiono zasadę działania pH-metrycznych czujników ISFET, ich istotne układy pracy oraz wady i zalety w analizie elektrochemicznej w środowiskach wodnych i niewodnych. Określono wymagania dla przetworników pracujących w warunkach polowych, poza laboratorium. Przedstawiono technologię bezprzewodowych sieci sensorowych. Zaproponowano układ węzła sensorowego ze skompensowanym termicznie różnicowym przetwornikiem ISFET...