Measurement of sub-nanometer molecular layers with ISFET without a reference electrode dependency

Maciej Kokot

doi:10.1016/j.snb.2011.04.079

Measurement of sub-nanometer molecular layers with ISFET without a reference electrode dependency

Abstrakt

A new method of detection and measurement with sub-nanometer resolution of layers adsorbed or bonded to the ISFET's gate dielectric was presented. The sensitivity of this method is high enough to detect even partial mono-layer covering. The transconductance measurement of the ISFET provides independence of the output signal from pH changes and the driving electrode electrochemical potential instabilities. The stable reference electrode is not necessary to detect layers of various species on the sub mono-molecular scale.

Cytowania

2

CrossRef
0

Web of Science
5

Scopus

Autor (1)

Maciej Kokot dr inż.

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

pełna treść artykułu zobacz w serwisie zewnętrznym otwiera się w nowej karcie

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuł w czasopiśmie wyróżnionym w JCR
Opublikowano w:: SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL nr 152, strony 424 - 429,
ISSN: 0925-4005
Język:: angielski
Rok wydania:: 2011
Opis bibliograficzny:: Kokot M.: Measurement of sub-nanometer molecular layers with ISFET without a reference electrode dependency// SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL. -Vol. 152, nr. isss. 2 (2011), s.424-429
DOI:: Cyfrowy identyfikator dokumentu elektronicznego (otwiera się w nowej karcie) 10.1016/j.snb.2011.04.079
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska