Determination of the width of the carrier recombination zone in organiclight emitting diodes.

Jan Kalinowski; L.c. Palilis; W.h. Kim; Zakya H. Kafafi

Determination of the width of the carrier recombination zone in organiclight emitting diodes.

Abstrakt

W pracy mierzono kwantową wydajność elektroluminescencji w diodach dwuwarstwowych z różną grubością emitera w postaci warstwy hydroksychinolinowego kompleksu aluminium (Alq3). Stwierdzono, że szerokość strefy rekombinacji ładunku maleje ze wzrostem natężenia pola elektrycznego od 70 nm(dla E=0.75MV/cm do 40 nm (dla E=1.MV/cm).

Autorzy (4)

Cytuj jako

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:: Publikacja w czasopiśmie
Typ:: artykuł w czasopiśmie z listy filadelfijskiej
Opublikowano w:: EUROPEAN JOURNAL OF APPLIED PHYSIOLOGY
ISSN: 1439-6319
Język:: angielski
Rok wydania:: 2003
Opis bibliograficzny:: Kalinowski J., Palilis L., Kim W., Kafafi Z.: Determination of the width of the carrier recombination zone in organiclight emitting diodes. // EUROPEAN JOURNAL OF APPLIED PHYSIOLOGY. -., (2003),
Weryfikacja:: Politechnika Gdańska