Wyniki wyszukiwania dla: modelowanie tranzystorow polowych

• Jakub Konkol dr inż.

  Osoby

  Katedra Geotechniki i Inżynierii Wodnej

• Modelowanie Inżynierskie

  Czasopisma

  ISSN: 1896-771X

• Detekcja materiałów przy użyciu organicznych tranzystorów polowych

  Publikacja

  • M. Franz

  - Rok 2017

  W ciągu ostatnich dwudziestu lat nastąpił rozwój elektroniki organicznej, która stała się ważnym obszarem badań naukowych i technologicznych. Organiczne ogniwa fotowoltaiczne i organiczne diody elektroluminescencyjne zostały wykorzystane w urządzeniach komercyjnych, a jednym z najbardziej obiecujących zastosowań dla organicznych tranzystorów polowych są czujniki chemiczne i biologiczne. Postęp w tej dziedzinie jest tematem tego...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Metody usuwania zakłóceń podczas pomiarów polowych widm Ramana

  Publikacja

  • A. Kwiatkowski
  • J. Smulko

  - Rok 2013

  W pracy zostały scharakteryzowane źródła zakłóceń występujące podczas pomiarów widm Ramana w warunkach polowych. Zaprezentowano wpływ czasu integracji na jakość rejestrowanych widm w przypadkach, gdy szumy własne spektrometru mają składową typu 1/f, dominującą w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono także wyniki uzyskane podczas pomiarów z detekcją synchroniczną, stosowaną w przenośnych spektrometrach Ramana, w pomiarach...

• Metody usuwania zakłóceń podczas pomiarów polowych widm Ramana

  Publikacja

  • A. Kwiatkowski
  • J. Smulko

  - Measurement Automation Monitoring - Rok 2013

  W pracy zostały scharakteryzowane źródła zakłóceń występujące podczas pomiarów widm Ramana w warunkach polowych oraz sposoby redukcji ich wpływu na jakość rejestrowanych widm. Zaprezentowano wpływ czasu integracji na jakość rejestrowanych widm w przypadkach, gdy szumy własne spektrometru mają składową typu 1/f, dominującą w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono także wyniki uzyskane podczas pomiarów z detekcją synchroniczną,...

  Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

• Quasi-dwuwymiarowe równanie ciagłości dla procesów dynamicznych w tranzystorach polowych

  Publikacja

  • W. Kordalski

  - Rok 2005

  W oparciu o dwuwymiarowy model fizyczny i matematyczny tranzystora polowego zaproponowano quasi-dwuwymiarowy model umożliwiający wyprowadzenie równania ciągłości dla nośników nadmiarowych w przypadku małych zaburzeń ich koncentracji. Rozważania przeprowadzono startując od najbardziej podstawowych praw fizyki.

• Modelowanie ryzyka strategicznego w inżynierii drogowej

  Publikacja

  • K. Jamroz

  - Rok 2012

  Modelowanie ryzyka strategicznego w inżynierii drogowej. Koncepcja modeli społecznego ryzyka strategicznego na sieci dróg.

• Modelowanie procesów i sterowania instalacji komponowania asfaltów

  Publikacja

  • Ł. Michalczyk
  • K. Duzinkiewicz
  • R. Piotrowski

  - Modelowanie Inżynierskie - Rok 2011

  Asfalty są obecnie jednymi z kluczowych produktów rafinerii nafty. Zapewnienie wymaganej jakości tych produktów ma wpływ na jej wyniki ekonomiczne. Wymagana jakość uzyskiwana jest poprzez utrzymanie laboratoryjnie wyznaczonych stosunków ilościowych pomiędzy komponentami. Zadanie to realizowane jest przez hierarchiczne układy sterowania automatycznego. Niezadowalająca jakość działania tych układów może wynikać z braków i niedokładności...

  Pełny tekst do pobrania w portalu

• Referat generalny do referatów podsekcji I.3 : Modelowanie

  Publikacja

  • R. Zajczyk

  - Rok 2009

  Referat zawierający ocenę merytoryczną referatów zakwalifikowanych do sekcji MODELOWANIE.

• Modelowanie ryzyka inwestycyjnego przy użyciu OOBN

  Publikacja

  • M. Apollo
  • M. W. Kembłowski

  - Materiały Budowlane - Rok 2016

  Celem artykułu jest przedstawienie sieci Bayesa zorientowanych obiektowo (ang. Object Oriented Bayesian Networks – OOBN). Umożliwiają one dekompozycję złożonego modelu na pojedyncze obiekty, które reprezentują nie tylko różne grupy zagadnień, ale także pozwalają na modelowanie zależności czasowychmiędzy obiektami.Wykorzystanie obiektowych sieci Bayesa zaprezentowano na przykładzie projektu rewitalizacji. Przedstawiono zarówno wady,...