Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 11
wybranych: 7
Wyniki wyszukiwania dla: PÓŁPRZEWODNIKI
-
Półprzewodniki organiczne
PublikacjaW artykule przedstawiono zwięzły podział półprzewodników organicznych oraz opis zasadniczych właściwości i parametrów elektrycznych istotnych dla zastosowań elektronicznych. Omówiono koncepcje przewodnictwa elektrycznego i fotoprzewodnictwa półprzewodników organicznych.
-
Dye-sensitized solar cells, in: Physics of Nanostructured Solar Cells
PublikacjaRozwój nanotechnologii otwiera coraz szersze horyzonty w dziedzinie zastosowania nowych materiałów w istniejących technologiach. Po tranzystorach także inne urządzenia wchodzą w erę nanotechnologii, w tym także te, dla których podstawowym materiałem są półprzewodniki i materiały organiczne. Ogniwa słoneczne nie są w tym zakresie wyjątkiem. W książce przedstawiono różne rodzaje ogniwa fotowoltaicznych i związane z ich eksploatacją...
-
Synthesis and properties of the double perovskites La2NiVO6, La2CoVO6 i La2CoTiO6
PublikacjaW publikacji przedstawiono sposób syntezy, analizę dyfrakcji rentgenowskiej (xrd) i badania podatności magnetycznej tzw. podwójnych związków perowskitowych La2NiVO6, La2CoVO6 i La2CoTiO6. Badane związki są półprzewodnikami ze stosunkowo wąską szerokością przerwy energetycznej dla La2NiVO6, La2CoVO6 i nieznacznie powyżej 1 eV powyżej La2CoTiO6.
-
Optimal strategy for a single-qubit gate and the trade-off between opposite types of decoherence.
PublikacjaZostał zbadany proces przesyłania kwantowej informacji w dwóch różnych otoczeniach (markowskim i niemarkowskim).
-
Analysis of the interfacial energy of GaAs-Si hetrostructures
PublikacjaPrzeprowadzono obliczenia numeryczne energii powierzchni heterogranicy GaAs-Si z zastosowaniem półempirycznego modelu czteroparametrycznego Acklanda. Pokazano zależność energii heterogranicy od orientacji podłoża Si. Minima energetyczne otrzymano dla orientacji Si równych (011), (133), (112) i (113) co wskazuje ich zastosowanie do epitaksjalnego wzrostu warstw GaAs.
-
Electron mobility variance in semiconductors: the variance approach
PublikacjaPraca przedstawia nowe podejście da analizy zjawisk losowych w półprzewodnikach. Uwzględnia kilka mechanizmów zjawisk fluktuacji ruchliwości w półprzewodnikach, prowadzących do powstawamai składowej szumów typu 1/f, dominujących w zakresie małych czetotliwości. Przedstawia analizę sposobu wyznaczenia stałej Hooge'a określającej intensywność szumów typu 1/f.The statistical non-triviality of current carrier mobility fluctuations...
-
The influence of the thickness, recombination and space charge on the loss of photocurrent in organic semiconductors: an analytical model
PublikacjaWe propose an analytical model of the photocurrent efficiency dependence on the light intensity in organic semiconductors. The influence of the thickness of sample, space charge effects and recombination of charge on the loss of photocurrent has been considered. We demonstrate that the presented model is the enhancement of an analytical model reported recently by Rappaport et al (2005 J. Appl. Phys. 98 033714). The method to identify...