Search results for: mos

• A Method of MOS Evaluation for Video Based Services

  Publication

  • A. Zięba
  • M. Kollar

  - Year 2016

  This paper deals with a method for QoE evaluation for the services transmitting large amount of data perceived by the end user in relatively short time periods, e.g. streaming video in mobile operator...

  Full text to download in external service

• Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS

  Publication

  • W. Kordalski

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2008

  Przedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.

• Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.

  Publication

  • W. Kordalski
  • R. Rynkiewicz

  - Year 2004

  Zaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.

• Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.

  Publication

  • W. Kordalski
  • M. Polowczyk
  • J. Czerwiński
  • J. Dzierżko
  • L. Dobrzański

  - Year 2004

  W artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.

• Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne

  Publication

  • M. Panek
  • W. Kordalski
  • M. Sitek

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2007

  Zaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.

• Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS

  Publication

  • W. Kordalski
  • D. Tomaszewski

  - Year 2005

  Przedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...

• Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego

  Publication

  • W. Kordalski
  • K. Włodarczak
  • K. Szymański

  - Zeszyty Naukowe Wydziału ETI Politechniki Gdańskiej. Technologie Informacyjne - Year 2006

  Zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a

• Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.

  Publication

  • K. Piskorski
  • A. Kudła
  • H. M. Przewłocki

  - Year 2004

  W referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.

• Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.

  Publication

  • W. Kordalski
  • T. Stefański

  - Year 2004

  Zaproponowano nowy małosygnałowy model wysokoczęstotliwościowy tranzystora MOS oraz przedstawiono wyniki jego weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości aż do 30 GHz.

• Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm

  Publication

  • W. Kordalski
  • J. Wiśniewski
  • K. Włodarczak

  - Year 2005

  W artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.