Wyszukiwarka
Nie znaleźliśmy wyników w zadanych kryteriach!
Ale mamy wyniki w innych katalogach.Filtry
wszystkich: 988
-
Katalog
- Publikacje 790 wyników po odfiltrowaniu
- Czasopisma 29 wyników po odfiltrowaniu
- Wydawnictwa 2 wyników po odfiltrowaniu
- Osoby 22 wyników po odfiltrowaniu
- Wynalazki 1 wyników po odfiltrowaniu
- Projekty 10 wyników po odfiltrowaniu
- Zespoły Badawcze 3 wyników po odfiltrowaniu
- Kursy Online 85 wyników po odfiltrowaniu
- Wydarzenia 2 wyników po odfiltrowaniu
- Dane Badawcze 44 wyników po odfiltrowaniu
Wyniki wyszukiwania dla: mos
-
A Method of MOS Evaluation for Video Based Services
PublikacjaThis paper deals with a method for QoE evaluation for the services transmitting large amount of data perceived by the end user in relatively short time periods, e.g. streaming video in mobile operator...
-
Właściwości nie-quasi-statycznego modelu tranzystora wewnętrznego MOS
PublikacjaPrzedstawiono założenia i właściwości oryginalnego nie-quasi-statycznego modelu małosygnałowego tranzystora wewnętrznego MOS oraz dokonano przeglądu i podziału znanych w literaturze przedmiotu małosygnałowych modeli tranzystora polowego.
-
Jednosekwencyjny statyczny model prądowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS.
PublikacjaZaprezentowano i zweryfikowano eksperymentalnie nowy jednosekcyjny statyczny model pradowo-napięciowo-temperaturowy tranzystora MOS. Nowy model jest spójny fizycznie i zawiera dużo mniej parametrów niż powszechnie znane modele.
-
Nowy dwudrenowy tranzystor MOS jako czujnik pola magnetycznego.
PublikacjaW artykule zaprezentowano nową koncepcję tranzystora typu MOS z dwoma poziomo usytuowanymi drenami, który może być wykorzystany jako czujnik pola magnetycznego. Zasada działania nowego czujnika oparta jest na jednym ze zjawisk galwanomagnetycznych.
-
Dwuwymiarowy obraz zjawisk w tranzystorze MOS - badania numeryczne
PublikacjaZaprezentowano wyniki badań numerycznych, z których wynika, że w tranzystorze MOS występuje zjawisko łagodnego odrywania się kanału i zjawisko powiększania grubości kanału. Obydwa zjawiska można uwzględnić w quasi-dwuwymiarowym modelowaniu pracy tranzystora polowego, dzięki czemu można opracowywać dokładniejsze modele analityczne takiego przyrządu półprzewodnikowego.
-
Rozkład gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS
PublikacjaPrzedyskutowano i dokonano analizy ilościowej rozkładu gęstości ruchomego ładunku wzdłuż kanału tranzystora MOS - jednej z podstawowych wielkości definiujących prąd kanału (drenu). Zwrócono uwagę na konsekwencje jakie implikuje stosowanie przybliżenia łagodnego kanału w modelowaniu stałoprądowych charakterystyk tranzystora polowego. Zaprezentowano wyniki analizy dwuwymiarowej określającej w formie analitycznej wielkość ładunku...
-
Stałoprądowy model tranzystora mos dla zakresu przed- i nadprogowego
PublikacjaZaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy, jednosekcyjny model opisujący pracę tranzystora MOS zarówno w zakresie przed- i nadprogowym, jak również w zakresie liniowym (triodowym) i nasycenia (pentodowym). Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego praz zademonstrowano wyniki weryfikacji eksperymentalnej modelu. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a
-
Porównanie różnych metod pomiarów wysokości barier potencjału w strukturach MOS.
PublikacjaW referacie omówiono sposoby eliminacji problemów upływności bramki przy pomiarach charakterystyk C(V) kondnsatorów z ultra-cienkim tlenkiem bramki. Przedstawiono sposoby wykorzystania trójelementowego schematu zastępczego kondensatora MOS i przykład analizy pojemności, konduktancji tlenku i rezystancji szeregowej, zmierzonych przy pomocy miernika impedancji Agilent 4294A.
-
Wysokoczestotliwościowy model małosygnałowy tranzystora MOS uwzgledniający efekt nasycenia prędkosci nośników.
PublikacjaZaproponowano nowy małosygnałowy model wysokoczęstotliwościowy tranzystora MOS oraz przedstawiono wyniki jego weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości aż do 30 GHz.
-
Stałoprądowy model tranzystora MOS z kanałem dłuzszym niż 10 nm
PublikacjaW artykule zaprezentowano spójny fizycznie, stałoprądowy jednosekcyjny model tranzystora MOS i wyniki jego eksperymentalnej weryfikacji dla szerokiego spektrum długości kanałów badanych tranzystorów - od kanałów długich aż do 10-nanometrowych. Przedstawiono założenia modelu fizycznego w przestrzeni 2-D i jego transformację do modelu quasi-dwuwymiarowego. Model spełnia warunek symetrii Gummel'a.