Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s

Abstrakt

Przedstawiono wyniki pomiarów i analizy szumów tranzystorów MOSFET z izolatorem bramki wykonanym z SiO2 i HfO2. Wyniki pomiarów wykorzystano do oszacowania gęstości aktywnych stanów na powierzchni użytego tlenku i porównano z wynikami otrzymanymi metodą charge-pumping.

Cytuj jako

Autorzy (6)

Pełna treść

pełna treść publikacji nie jest dostępna w portalu

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Aktywność konferencyjna
Typ:
publikacja w wydawnictwie zbiorowym recenzowanym (także w materiałach konferencyjnych)
Tytuł wydania:
Proceedings of the 17th International Conference Noise and Fluctuations strony 287 - 290
Język:
angielski
Rok wydania:
2003
Opis bibliograficzny:
Chroboczek J., Leroux C., Ernst T., Szewczyk A., Romanjek K., Ghibaudo G.: Device characteristics extraction by low frequency noise measurements; Someresults on the state-of-the-art MOSFET´s// Proceedings of the 17th International Conference Noise and Fluctuations/ ed. J. Sikula Brno: CNRL, 2003, s.287-290
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 3 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi