In-situ optical diagnostics of boron-doped diamond films growth - Publikacja - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

In-situ optical diagnostics of boron-doped diamond films growth

Abstrakt

Interferometry is a desirable method for in-situ measurement of thin, dielectric film growth, as it don't modify conditions of film deposition. Here we present interferometrical measurements of thickness of doped diamond films during Chemical Vapor Deposition (CVD) process. For this purpose we used a semiconductor laser with a 405nm wavelength. Additional ex-situ measurement using spectral interferometry and ellipsometry have been performed. We found that doping diamond with boron does not cause degradation of interference of light inside the film. To our knowledge, this is the first study of optical monitoring of boron doped, polycrystalline diamond films deposition.

Cytuj jako

Słowa kluczowe

Informacje szczegółowe

Kategoria:
Publikacja w czasopiśmie
Typ:
artykuły w czasopismach recenzowanych i innych wydawnictwach ciągłych
Opublikowano w:
Photonics Letters of Poland nr 5, strony 140 - 142,
ISSN: 2080-2242
Język:
angielski
Rok wydania:
2013
Opis bibliograficzny:
Kraszewski M., Bogdanowicz R.: In-situ optical diagnostics of boron-doped diamond films growth// Photonics Letters of Poland. -Vol. 5., nr. 4 (2013), s.140-142
Weryfikacja:
Politechnika Gdańska

wyświetlono 71 razy

Publikacje, które mogą cię zainteresować

Meta Tagi