Wyszukiwarka
Filtry
wszystkich: 14
Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY
-
Tranzystory organiczne
PublikacjaW artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.
-
Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów
PublikacjaArtykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...
-
Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC
PublikacjaW artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...
-
A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.
PublikacjaPrzedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.
-
Design of a 3.3V four-quadrant analog CMOS multiplier
PublikacjaW pracy przedstawiono dwa czterokwadrantowe mnożniki analogowe CMOS pracujące przy napięciu zasilania 3.3V. Układy wykorzystują tranzystory MOS pracujące zarówno w zakresie nasycenia jak i w zakresie triodowym. Wyniki symulacji komputerowych pokazują, że współczynnik zawartości harmonicznych (THD) sygnału wyjściowego jest mniejszy niż 0.75% dla sygnału wejściowego o amplitudzie 1V o częstotliwości 10MHz. Pasmo 3dB układu wynosi...
-
Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu
PublikacjaTranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...
-
Algorytmy ewolucyjne o wielowarswowych chromosomach i ich zastosowania w elektronice
PublikacjaW artykule przedstawiono koncepcje chromosomów wielowarstwowych w algorytmach ewolucyjnych. Ukazano strukturę chromosomu wielowarstwowego oraz opisano możliwe zastosowania algorytmów ewolucyjnych z jego wykorzystaniem. Omówiono zastosowanie algorytmu ewolucyjnego z wielowarstwowym chromosomem do: projektowania i optymalizacji kombinacyjnych układów cyfrowych budowanych zarówno w oparciu o bramki napięciowe jak i bramki prądowe,...
-
Oddziaływanie wybranych elementów przekształtnika energoelektronicznego nagenerację zaburzeń przewodzonych.**2002, 134 s. 125 rys. bibliogr. 102 poz. Rozprawa doktorska /17.12.2002/. PG, Wydz. Elektrotech. Automat. Promotor: dr hab. inż. Piotr J. Chrzan, prof. nadzw. PG
PublikacjaW rozprawie przedstawiono sposób obliczania generowanych zaburzeń elektroma-gnetycznych przewodzonych z układu przekształtnika do sieci zasilającej. Ce-lem pracy było opracowanie, w oparciu o symulację komputerową i badania eks-perymentalne, modeli wybranych elementów układu przekształtnika energoelek-tronicznego, pozwalających na określanie poziomów zaburzeń elektromagnetycz-nych przewodzonych w układach symulacyjnych. Zakres...
-
GaAs ballistic and tunneling nanodevices for terahertz electronics and medical applications
PublikacjaPrzy użyciu selektywnej epitaksji warstw molekularnych (MLE) wytworzono w GaAs balistyczne i tunelowe tranzystory o indukcji elektrostatycznej (SIT), z kanałami w skali 10 nm. Szacowany czas przelotu elektronów jest krótszy od 2×10-14 s. Metoda MLE została również wykorzystana do wykonania diod generacyjnych TUNNETT działających w oparciu o czas przelotu i tunelowe wstrzykiwanie elektronów. Z użyciem diod TUNNETT wygenerowano częstotliwość...
-
EFEKTYWNOŚĆ EKONOMICZNA HYBRYDOWEJ MIKROINSTALACJI OZE
PublikacjaW artykule przedstawiono warunki pracy mikroelektrowni hybrydowej zainstalowanej w małej firmie mieszczącej się na terenie przemysłowym. Pokazano strukturę i parametry elektrowni składającej się z paneli fotowoltaicznych i elektrowni wiatrowej. Przeanalizowano odbiorniki energii oraz warunki pobierania mocy biernej. Dla wybranego okresu czasu pokazano zużycie oraz produkcję energii elektrycznej i energię zużytą na potrzeby firmy...
-
Projektowanie Urządzeń Bezprzewodowych - 2022
Kursy OnlinePrzedmiot kursowy dla stopnia I, sem. 7, profil Inżynieria Mikrofalowa i Antenowa Celem jest wprowadzenie do analizy, projektowania i pomiarów podstawowych układów pasywnych (dzielniki, sprzęgacze, filtry), aktywnych (wzmacniacze, oscylatory) i podzespołów półprzewodnikowych (diody, tranzystory) dla zakresu b.w.cz., stosowanych h w urządzeniach i systemach bezprzewodowych. Studenci poznają zasadę działania i obsługę oprogramowania...
-
Projektowanie Urządzeń Bezprzewodowych - 2024
Kursy OnlinePrzedmiot kursowy dla stopnia I, sem. 7, profil Inżynieria Mikrofalowa i Antenowa Celem jest wprowadzenie do analizy, projektowania i pomiarów podstawowych układów pasywnych (dzielniki, sprzęgacze, filtry), aktywnych (wzmacniacze, oscylatory) i podzespołów półprzewodnikowych (diody, tranzystory) dla zakresu b.w.cz., stosowanych h w urządzeniach i systemach bezprzewodowych. Studenci poznają zasadę działania i obsługę oprogramowania...
-
Active Linear Tunable Resistance Element and Application to Feedforward Linearization of CMOS Transconductance Amplifier
PublikacjaW pracy przedstawiono koncepcję układową przestrajalnego rezystora liniowego MOS wykorzystującego tranzystory pracujące w zakresie triodowym. Opracowana struktura, jak wykazały symulacje komputerowe, charakteryzuje się dobrymi właściwościami zarówno jeżeli chodzi o zakres przestrajania jak i liniowość charakterystyk przejściowych. Pozwoliło to efektywnie wykorzystać prezentowany element do linearyzacji operacyjnego wzmacniacza...
-
Magnetyczne właściwości nanostruktur i spintronika 23/24
Kursy OnlineStudent poznaje materiały o właściwościach magnetycznych oraz prawa opisujące właściwości magnetyczne materiałów w skali makro, mikro i w skali nano. Student poznaje w szczególności metody badań tych właściwości oraz zasady wykorzystania materiałów magnetycznych w nauce i w technice. Student poznaje też zagadnienia dotyczące spintroniki w zakresie metod oddziaływania na spin i wykorzystywania tych metod dla wykorzystywania spinów...