Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY - MOST Wiedzy

Wyszukiwarka

Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY

Wyniki wyszukiwania dla: TRANZYSTORY

  • Tranzystory organiczne

    W artykule przedstawiono budowę, zasady działania i niektóre podstawowe charakterystyki organicznych tranzystorów polowych w oparciu o przegląd najnowszych publikacji naukowych dotyczących tematu. Omówiono tranzystory cienkowarstwowe TFT i typu SIT wykonane uproszczoną technologią z elastycznych i częściowo uporządkowanych materiałów organicznych. Zwrócono uwagę na koncepcję tranzystora molekularnego.

  • Organiczne tranzystory polowe jako czujniki gazów

    Artykuł przedstawia zasadę działania, podstawowe parametry oraz charakterystyki prądowo-napięciowe organicznych tranzystorów polowych (OFET) oraz możliwości wykorzystania tych urządzeń jako czujników gazów. Przedstawiono zasadę działania czujników gazów wykorzystujących OFET, a także potencjalne możliwości aplikacyjne tych urządzeń. Praca przedstawia ponadto przegląd najnowszych doniesień literaturowych dotyczących organicznych...

    Pełny tekst do pobrania w serwisie zewnętrznym

  • Zastosowanie tranzystorów GaN w wysokoczęstotliwościowych przekształtnikach DC/DC

    W artykule przedstawiono tranzystory mocy z azotku galu (GaN) jako przyrządy, umożliwiające budowanie wysokoczęstotliwościowych przekształtników energoelektronicznych. Opisano tranzystory GaN HEMT SSFET, przedstawiono sposób ich sterowania i czasy przełączeń. Podano wyniki badań eksperymentalnych przekształtnika obniżającego napięcie o sprawności 96,5%, pracującego z częstotliwością przełączeń 500 kHz. Zaprezentowano metodę doboru...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

  • A Model for Low Frequency Noise Generation in MOSFETs.

    Publikacja

    - Rok 2004

    Przedstawiono model generacji szumów małoczęstotliwosciowych tranzystora MOS. Model został użyty do symulacji szumów cienkotlenkowych tranzystorów MOS. Wyniki symulacji porównano z danymi pomiarowymi. Zaprezentowano sposób wykorzystania pomiarów szumów m.cz. do wyznaczania niektórych parametrów charakteryzujących tranzystory MOS.

  • Design of a 3.3V four-quadrant analog CMOS multiplier

    W pracy przedstawiono dwa czterokwadrantowe mnożniki analogowe CMOS pracujące przy napięciu zasilania 3.3V. Układy wykorzystują tranzystory MOS pracujące zarówno w zakresie nasycenia jak i w zakresie triodowym. Wyniki symulacji komputerowych pokazują, że współczynnik zawartości harmonicznych (THD) sygnału wyjściowego jest mniejszy niż 0.75% dla sygnału wejściowego o amplitudzie 1V o częstotliwości 10MHz. Pasmo 3dB układu wynosi...

  • Pomiary szumów m.cz. tranzystorów MESFET z węglika krzemu

    Publikacja

    Tranzystory MESFET z węglika krzemu typu CRF24010 (CRREE) są przyrządami mocy przeznaczonymi do pracy w zakresie wysokich częstotliwości. Ze względu na możliwość oceny technologii tych przyrządów, a także ich jakości celowe jest określenie ich właściwości szumowych w zakresie małych częstotliwości. Przedstawiono wyniki badań wykonanych w celu oceny właściowści szumowych tranzystorów MESFET z SiC oraz zaproponowano schemat szumowy...

  • Algorytmy ewolucyjne o wielowarswowych chromosomach i ich zastosowania w elektronice

    W artykule przedstawiono koncepcje chromosomów wielowarstwowych w algorytmach ewolucyjnych. Ukazano strukturę chromosomu wielowarstwowego oraz opisano możliwe zastosowania algorytmów ewolucyjnych z jego wykorzystaniem. Omówiono zastosowanie algorytmu ewolucyjnego z wielowarstwowym chromosomem do: projektowania i optymalizacji kombinacyjnych układów cyfrowych budowanych zarówno w oparciu o bramki napięciowe jak i bramki prądowe,...

  • Oddziaływanie wybranych elementów przekształtnika energoelektronicznego nagenerację zaburzeń przewodzonych.**2002, 134 s. 125 rys. bibliogr. 102 poz. Rozprawa doktorska /17.12.2002/. PG, Wydz. Elektrotech. Automat. Promotor: dr hab. inż. Piotr J. Chrzan, prof. nadzw. PG

    Publikacja

    - Rok 2002

    W rozprawie przedstawiono sposób obliczania generowanych zaburzeń elektroma-gnetycznych przewodzonych z układu przekształtnika do sieci zasilającej. Ce-lem pracy było opracowanie, w oparciu o symulację komputerową i badania eks-perymentalne, modeli wybranych elementów układu przekształtnika energoelek-tronicznego, pozwalających na określanie poziomów zaburzeń elektromagnetycz-nych przewodzonych w układach symulacyjnych. Zakres...

  • GaAs ballistic and tunneling nanodevices for terahertz electronics and medical applications

    Publikacja

    - Rok 2008

    Przy użyciu selektywnej epitaksji warstw molekularnych (MLE) wytworzono w GaAs balistyczne i tunelowe tranzystory o indukcji elektrostatycznej (SIT), z kanałami w skali 10 nm. Szacowany czas przelotu elektronów jest krótszy od 2×10-14 s. Metoda MLE została również wykorzystana do wykonania diod generacyjnych TUNNETT działających w oparciu o czas przelotu i tunelowe wstrzykiwanie elektronów. Z użyciem diod TUNNETT wygenerowano częstotliwość...

  • EFEKTYWNOŚĆ EKONOMICZNA HYBRYDOWEJ MIKROINSTALACJI OZE

    W artykule przedstawiono warunki pracy mikroelektrowni hybrydowej zainstalowanej w małej firmie mieszczącej się na terenie przemysłowym. Pokazano strukturę i parametry elektrowni składającej się z paneli fotowoltaicznych i elektrowni wiatrowej. Przeanalizowano odbiorniki energii oraz warunki pobierania mocy biernej. Dla wybranego okresu czasu pokazano zużycie oraz produkcję energii elektrycznej i energię zużytą na potrzeby firmy...

    Pełny tekst do pobrania w portalu

  • Projektowanie Urządzeń Bezprzewodowych - 2022

    Kursy Online
    • Ł. Kulas
    • K. Nyka
    • K. Trzebiatowski

    Przedmiot kursowy dla stopnia I, sem. 7, profil Inżynieria Mikrofalowa i Antenowa Celem jest wprowadzenie do analizy, projektowania i pomiarów podstawowych układów pasywnych (dzielniki, sprzęgacze, filtry), aktywnych (wzmacniacze, oscylatory) i podzespołów półprzewodnikowych (diody, tranzystory) dla zakresu b.w.cz., stosowanych h w urządzeniach i systemach bezprzewodowych. Studenci poznają zasadę działania i obsługę oprogramowania...

  • Projektowanie Urządzeń Bezprzewodowych - 2023

    Kursy Online
    • Ł. Kulas
    • K. Nyka
    • K. Trzebiatowski

    Przedmiot kursowy dla stopnia I, sem. 7, profil Inżynieria Mikrofalowa i Antenowa Celem jest wprowadzenie do analizy, projektowania i pomiarów podstawowych układów pasywnych (dzielniki, sprzęgacze, filtry), aktywnych (wzmacniacze, oscylatory) i podzespołów półprzewodnikowych (diody, tranzystory) dla zakresu b.w.cz., stosowanych h w urządzeniach i systemach bezprzewodowych. Studenci poznają zasadę działania i obsługę oprogramowania...

  • Active Linear Tunable Resistance Element and Application to Feedforward Linearization of CMOS Transconductance Amplifier

    Publikacja

    W pracy przedstawiono koncepcję układową przestrajalnego rezystora liniowego MOS wykorzystującego tranzystory pracujące w zakresie triodowym. Opracowana struktura, jak wykazały symulacje komputerowe, charakteryzuje się dobrymi właściwościami zarówno jeżeli chodzi o zakres przestrajania jak i liniowość charakterystyk przejściowych. Pozwoliło to efektywnie wykorzystać prezentowany element do linearyzacji operacyjnego wzmacniacza...

  • Magnetyczne właściwości nanostruktur i spintronika 23/24

    Kursy Online
    • L. Piotrowski

    Student poznaje materiały o właściwościach magnetycznych oraz prawa opisujące właściwości magnetyczne materiałów w skali makro, mikro i w skali nano. Student poznaje w szczególności metody badań tych właściwości oraz zasady wykorzystania materiałów magnetycznych w nauce i w technice. Student poznaje też zagadnienia dotyczące spintroniki w zakresie metod oddziaływania na spin i wykorzystywania tych metod dla wykorzystywania spinów...